Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
DD1000S33HE3BPSA1
  • В избранное
  • В сравнение
DD1000S33HE3BPSA1

DD1000S33HE3BPSA1

DD1000S33HE3BPSA1
;
DD1000S33HE3BPSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DD1000S33HE3BPSA1
  • Описание:
    DIODE MODULE 3300V 1000AВсе характеристики

Минимальная цена DD1000S33HE3BPSA1 при покупке от 1 шт 189192.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DD1000S33HE3BPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DD1000S33HE3BPSA1

DD1000S33HE3BPSA1 Infineon Technologies DIODE MODULE

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 1000 А
    • Номинальное напряжение: 3300 В
    • Тип: Диодный модуль
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость переключения
    • Простота интеграции в электронные системы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Требуется дополнительное охлаждение для работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения и обеспечения одноруких операций в различных приложениях.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления мощностью
    • Энергосберегающие приборы
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики DD1000S33HE3BPSA1

  • Конфигурация диода
    2 Independent
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    3300 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    3.85 V @ 1000 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1000 A @ 1800 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-IHVB130-3
  • Base Product Number
    DD1000

Техническая документация

 DD1000S33HE3BPSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 11 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    189 192 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DD1000S33HE3BPSA1
  • Описание:
    DIODE MODULE 3300V 1000AВсе характеристики

Минимальная цена DD1000S33HE3BPSA1 при покупке от 1 шт 189192.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DD1000S33HE3BPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DD1000S33HE3BPSA1

DD1000S33HE3BPSA1 Infineon Technologies DIODE MODULE

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток: 1000 А
    • Номинальное напряжение: 3300 В
    • Тип: Диодный модуль
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость переключения
    • Простота интеграции в электронные системы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Требуется дополнительное охлаждение для работы при высоких нагрузках
  • Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения и обеспечения одноруких операций в различных приложениях.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления мощностью
    • Энергосберегающие приборы
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики DD1000S33HE3BPSA1

  • Конфигурация диода
    2 Independent
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    3300 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    3.85 V @ 1000 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1000 A @ 1800 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-IHVB130-3
  • Base Product Number
    DD1000

Техническая документация

 DD1000S33HE3BPSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAV70W-QXДиод: TRANS PREBIAS NPN/PNP
    28Кешбэк 4 балла
    PMEG3002EEFZДиод: PMEG3002EEF/SOD972/DFN0603
    39Кешбэк 5 баллов
    BAT54A-QRДиод: TRANS PREBIAS NPN/PNP
    37Кешбэк 5 баллов
    BAV99-QRДиод: TRANS PREBIAS NPN/PNP
    26Кешбэк 3 балла
    BAV23CVLDIODE ARRAY GP 200V TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    BAT54AWFТранзистор: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70
    33.3Кешбэк 4 балла
    BAV70SRAZDIODE ARRAY GP 100V 355MA 6DFN
    63Кешбэк 9 баллов
    BAW56SRAZDIODE ARRAY GP 90V 375MA 6DFN
    63Кешбэк 9 баллов
    BAT54SWFDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70
    18.5Кешбэк 2 балла
    BAV99QCZBAV99QC/SOT8009/DFN1412D-3
    28Кешбэк 4 балла
    BAV170MYLDIODE ARRAY GP 75V 320MA 3DFN
    48Кешбэк 7 баллов
    BAV170QAZDIODE HS SW 75V 180MA 3DFN1010
    56Кешбэк 8 баллов
    NTE6244Диод: R-SI DUAL200PRV 16A
    1 090Кешбэк 163 балла
    NTE596D-SI DUAL COMMON ANODE
    324Кешбэк 48 баллов
    NTE595D-SI DUAL COMMON CATHODE
    318Кешбэк 47 баллов
    NTE6085Диод: R-DUAL SCHOTTKY 16A 45V
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE6090Диод: R-DUAL SCHOTTKY 45V 30A
    3 276Кешбэк 491 балл
    RF601BM2DTLДиод: DIODE ARRAY GP 200V 6A TO252
    173Кешбэк 25 баллов
    BAT54SHMFHT116DIODE ARRAY SCHOT 30V 200MA SSD3
    39Кешбэк 5 баллов
    DAN217UMFHTLSWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
    33.3Кешбэк 4 балла
    RB715WMTLSCHOTTKY BARRIER DIODE - RB715WM
    37Кешбэк 5 баллов
    BAV99HYT116Диод: HIGH SPEED SWITCHING, 80V, 215MA
    67Кешбэк 10 баллов
    RB088BM100TLSUPER LOW IR, 100V, 10A, TO-252
    402Кешбэк 60 баллов
    RBE2EA20ATRHIGH EFFICIENCY TYPE, 20V, 2A, S
    120Кешбэк 18 баллов
    DAP202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    54Кешбэк 8 баллов
    BAT54CHYFHT11630V, 200MA, SOT-23, CATHODE COMM
    98Кешбэк 14 баллов
    RB558WMTLДиод: RB558WM IS SUPER LOW VF SCHOTTKE
    41Кешбэк 6 баллов
    BAW156HYT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    DAP222ZMT2LHIGH SPEED SWITCHING, 80V 100MA,
    70Кешбэк 10 баллов
    RB085BGE-40TLSCHOTTKY BARRIER DIODE
    233Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП