Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DDA123JH-7

DDA123JH-7

DDA123JH-7
;
DDA123JH-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDA123JH-7
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563Все характеристики

Минимальная цена DDA123JH-7 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDA123JH-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDA123JH-7

DDA123JH-7 Diodes Incorporated Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: Двойной NPN транзистор с предсажеванием
    • Монтаж: SOT563
    • Количество эмиттеров: 2
    • Напряжение сажевания: до 40 В
    • Потребляемая мощность: до 150 мВт
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность сажевания благодаря предсажеванию
    • Двойное колено для улучшенного контроля над током
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с одиночными транзисторами
    • Более сложная схема подключения из-за двойного колена
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных схемах
    • Регулировка напряжения и тока
    • Обеспечение стабильности работы других компонентов
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные часы и другие небольшие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики DDA123JH-7

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    DDA123

Техническая документация

DDA123JH-7.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDA123JH-7
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563Все характеристики

Минимальная цена DDA123JH-7 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDA123JH-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDA123JH-7

DDA123JH-7 Diodes Incorporated Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: Двойной NPN транзистор с предсажеванием
    • Монтаж: SOT563
    • Количество эмиттеров: 2
    • Напряжение сажевания: до 40 В
    • Потребляемая мощность: до 150 мВт
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность сажевания благодаря предсажеванию
    • Двойное колено для улучшенного контроля над током
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с одиночными транзисторами
    • Более сложная схема подключения из-за двойного колена
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных схемах
    • Регулировка напряжения и тока
    • Обеспечение стабильности работы других компонентов
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные часы и другие небольшие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики DDA123JH-7

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    DDA123

Техническая документация

DDA123JH-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории