Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
DDB6U30N08VRBOMA1
  • В избранное
  • В сравнение
DDB6U30N08VRBOMA1

DDB6U30N08VRBOMA1

DDB6U30N08VRBOMA1
;
DDB6U30N08VRBOMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DDB6U30N08VRBOMA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 600V 26A 83.5WВсе характеристики

Минимальная цена DDB6U30N08VRBOMA1 при покупке от 1 шт 55580.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDB6U30N08VRBOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDB6U30N08VRBOMA1

DDB6U30N08VRBOMA1 — это транзистор Infineon Technologies модели IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 600В и 26А, мощностью 83.5Вт.

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 600В
    • Рейтинг тока: 26А
    • Мощность: 83.5Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в средних и больших мощностях
    • Низкое сопротивление ведущего канала
    • Короткий время переключения
    • Хорошая термостойкость
    • Простота в использовании и монтаже
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения для предотвращения перегрева
    • Сложнее в проектировании, чем транзисторы MOSFET
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных и бытовых приборах
    • Для управления электрической нагрузкой в системах управления двигателями
    • В преобразователях напряжения
    • Для управления током в солнечных батареях и других источниках энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Беспроводные зарядные устройства
    • Системы управления ветровыми турбинами
    • Беспроводные устройства питания
Выбрано: Показать

Характеристики DDB6U30N08VRBOMA1

  • Конфигурация
    Three Phase Inverter with Brake
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    26 A
  • Рассеивание мощности
    83.5 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.55V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    880 pF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module

Техническая документация

 DDB6U30N08VRBOMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    55 580 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DDB6U30N08VRBOMA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 600V 26A 83.5WВсе характеристики

Минимальная цена DDB6U30N08VRBOMA1 при покупке от 1 шт 55580.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDB6U30N08VRBOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDB6U30N08VRBOMA1

DDB6U30N08VRBOMA1 — это транзистор Infineon Technologies модели IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 600В и 26А, мощностью 83.5Вт.

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 600В
    • Рейтинг тока: 26А
    • Мощность: 83.5Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в средних и больших мощностях
    • Низкое сопротивление ведущего канала
    • Короткий время переключения
    • Хорошая термостойкость
    • Простота в использовании и монтаже
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют дополнительного охлаждения для предотвращения перегрева
    • Сложнее в проектировании, чем транзисторы MOSFET
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных и бытовых приборах
    • Для управления электрической нагрузкой в системах управления двигателями
    • В преобразователях напряжения
    • Для управления током в солнечных батареях и других источниках энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Беспроводные зарядные устройства
    • Системы управления ветровыми турбинами
    • Беспроводные устройства питания
Выбрано: Показать

Характеристики DDB6U30N08VRBOMA1

  • Конфигурация
    Three Phase Inverter with Brake
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    26 A
  • Рассеивание мощности
    83.5 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.55V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    880 pF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module

Техническая документация

 DDB6U30N08VRBOMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FD800R45KL3KB5NPSA1Транзистор: IGBT MOD 4500V 800A 9000W
    367 763Кешбэк 55 164 балла
    FF1200R12IE5PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
    112 412Кешбэк 16 861 балл
    FF1500R17IP5PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1500A AGPRIME3+-5
    157 591Кешбэк 23 638 баллов
    FF450R12IE4BOSA2Транзистор: IGBT MOD 1200V 450A 2550W
    77 328Кешбэк 11 599 баллов
    DF1000R17IE4PBPSA1Транзистор: PP IHM I XHP 1 7KV
    112 522Кешбэк 16 878 баллов
    FF600R12KT4HOSA1Транзистор: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG
    29 924Кешбэк 4 488 баллов
    FF650R17IE4DPB2BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 650A
    97 176Кешбэк 14 576 баллов
    FF800R12KE3NOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1200A 3900W
    140 467Кешбэк 21 070 баллов
    FP25R12W2T7B11BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY
    8 274Кешбэк 1 241 балл
    FZ1200R17HP4HOSA2Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
    104 642Кешбэк 15 696 баллов
    FZ1200R17HP4B2BOSA2Транзистор: IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
    170 777Кешбэк 25 616 баллов
    FZ1600R17KE3NOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 2300A 8950W
    147 659Кешбэк 22 148 баллов
    FF800R17KP4B2NOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 800A
    162 314Кешбэк 24 347 баллов
    FZ2400R12HP4HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 3460A
    141 140Кешбэк 21 171 балл
    FZ825R33HE4DBPSA1Транзистор: HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES
    262 260Кешбэк 39 339 баллов
    FS100R12W2T7B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 20MW EASY
    14 519Кешбэк 2 177 баллов
    FS225R12KE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
    88 556Кешбэк 13 283 балла
    FP50R12KT4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
    13 437Кешбэк 2 015 баллов
    F3L400R07W3S5B59BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY3B-7011
    18 171Кешбэк 2 725 баллов
    FP200R12N3T7B11BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    29 457Кешбэк 4 418 баллов
    6MS24017P43W41646NOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V STACK A-MS3-1
    4 576 836Кешбэк 686 525 баллов
    DDB6U30N08VRBOMA1Транзистор: IGBT MOD 600V 26A 83.5W
    55 580Кешбэк 8 337 баллов
    FF1800R17IP5PBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 3600A
    215 982Кешбэк 32 397 баллов
    FF225R65T3E3BPSA1Транзистор: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
    270 843Кешбэк 40 626 баллов
    FP100R12KT4PBPSA1Транзистор: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3
    25 845Кешбэк 3 876 баллов
    FP15R12W1T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 28A 130W
    6 353Кешбэк 952 балла
    F3L400R10W3S7FB11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY
    38 648Кешбэк 5 797 баллов
    FS50R12W2T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 83A 335W
    8 243Кешбэк 1 236 баллов
    FD800R17KE3B2NOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 800A
    180 203Кешбэк 27 030 баллов
    FD300R17KE4PHOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 300A AG62MM-1
    34 687Кешбэк 5 203 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП