Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
DDC114TU-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
DDC114TU-7-F

DDC114TU-7-F

DDC114TU-7-F
;
DDC114TU-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDC114TU-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363Все характеристики

Минимальная цена DDC114TU-7-F при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDC114TU-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDC114TU-7-F

DDC114TU-7-F Diodes Incorporated Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN (двунаправленный)
    • Мощность: 0.2Вт
    • Пакет: SOT363
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление затвора
    • Высокая скорость переключения
    • Компактный размер благодаря SOT363 пакету
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с транзисторами большего класса
    • Необходимость дополнительного предварительного наведения (PREBIAS) для оптимальной работы
  • Общее назначение:
    • Аmplификация сигналов
    • Драйверы нагрузок
    • Переключатель высокочастотных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Надстройки питания
    • Системы звукового воспроизведения
    • Радиоприемники
Выбрано: Показать

Характеристики DDC114TU-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 100µA, 1mA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363
  • Base Product Number
    DDC114

Техническая документация

 DDC114TU-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 11300 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 100
    25.6 ₽
  • 1000
    16.5 ₽
  • 6000
    11.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDC114TU-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363Все характеристики

Минимальная цена DDC114TU-7-F при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDC114TU-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDC114TU-7-F

DDC114TU-7-F Diodes Incorporated Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN (двунаправленный)
    • Мощность: 0.2Вт
    • Пакет: SOT363
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление затвора
    • Высокая скорость переключения
    • Компактный размер благодаря SOT363 пакету
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с транзисторами большего класса
    • Необходимость дополнительного предварительного наведения (PREBIAS) для оптимальной работы
  • Общее назначение:
    • Аmplификация сигналов
    • Драйверы нагрузок
    • Переключатель высокочастотных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Надстройки питания
    • Системы звукового воспроизведения
    • Радиоприемники
Выбрано: Показать

Характеристики DDC114TU-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 100µA, 1mA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363
  • Base Product Number
    DDC114

Техническая документация

 DDC114TU-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMF18XV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    37Кешбэк 5 баллов
    MUN5230DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    39Кешбэк 5 баллов
    MUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    40Кешбэк 6 баллов
    SMUN5113DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
    42Кешбэк 6 баллов
    MUN5211DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5235DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    SMUN5311DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5111DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5212DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5115DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5333DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5234DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5231DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5236DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    SMUN5131DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5215DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NSTB60BDW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5315DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5216DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5135DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5130DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5335DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    SMUN5237DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5334DW1T1GТранзистор
    46Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП