Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
DDTC114YCAQ-13-F
  • В избранное
  • В сравнение
DDTC114YCAQ-13-F

DDTC114YCAQ-13-F

DDTC114YCAQ-13-F
;
DDTC114YCAQ-13-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC114YCAQ-13-F
  • Описание:
    Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10KВсе характеристики

Минимальная цена DDTC114YCAQ-13-F при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC114YCAQ-13-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC114YCAQ-13-F

Транзистор Diodes Incorporated DDTC114YCAQ-13-F является предварительно смещенным NPN-транзистором в корпусе SOT-23, поставляемым в ленте и катушке (T&R) в количестве 10 000 штук.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: NPN, предварительно смещенный (Pre-Biased).
    • Корпус: SOT-23.
    • Наличие встроенных резисторов: Да, включает в себя входной резистор (R1) и резистор "база-эмиттер" (R2).
    • Значения резисторов: Обычно R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм (для серии 114Y).
    • Напряжение коллектор-эмиттер (Vce): Типичное значение 50 В.
    • Ток коллектора (Ic): Типичное значение 100 мА.
    • Рассеиваемая мощность (Pd): Типичное значение 200 мВт.
    • Рабочая температура: Обычно от -55°C до +150°C.
    • Количество в упаковке: 10 000 штук (лента и катушка).
  • Плюсы:
    • Упрощение схемы: Встроенные резисторы устраняют необходимость во внешних компонентах, сокращая количество деталей и площадь печатной платы.
    • Снижение затрат: Меньше компонентов означает меньшие затраты на закупку и сборку.
    • Повышенная надежность: Меньше паяных соединений снижает вероятность отказов.
    • Экономия места: Малый корпус SOT-23 идеально подходит для компактных устройств.
    • Уменьшение шума: Интеграция резисторов может помочь в снижении шума и помех.
    • Удобство монтажа: Поставка в ленте и катушке (T&R) оптимизирована для автоматизированного монтажа.
  • Минусы:
    • Ограниченная гибкость: Фиксированные значения встроенных резисторов могут быть неоптимальными для всех применений.
    • Сложнее отлаживать: В случае проблем со смещением, изменение параметров требует замены транзистора, а не просто резистора.
    • Меньшая рассеиваемая мощность: Как правило, эти транзисторы предназначены для маломощных применений.
  • Общее назначение:
  • Предварительно смещенные транзисторы предназначены для использования в качестве простых драйверов, переключателей или усилителей в низковольтных и маломощных схемах. Встроенные резисторы автоматически устанавливают рабочую точку транзистора, упрощая проектирование и сборку.

  • В каких устройствах применяется:
    • Драйверы светодиодов (LED drivers).
    • Интерфейсные схемы (например, между микроконтроллерами и другими компонентами).
    • Маломощные реле и соленоиды.
    • Управление подсветкой LCD-дисплеев.
    • Портативная электроника (мобильные телефоны, планшеты, носимые устройства).
    • Бытовая электроника (пульты ДУ, игрушки, мелкая бытовая техника).
    • Автомобильная электроника (некритичные вспомогательные функции).
    • Простые логические схемы.
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC114YCAQ-13-F

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3

Техническая документация

 DDTC114YCAQ-13-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 8700 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    63 ₽
  • 100
    28.3 ₽
  • 1000
    12.8 ₽
  • 5000
    9.8 ₽
  • 20000
    7.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC114YCAQ-13-F
  • Описание:
    Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10KВсе характеристики

Минимальная цена DDTC114YCAQ-13-F при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC114YCAQ-13-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC114YCAQ-13-F

Транзистор Diodes Incorporated DDTC114YCAQ-13-F является предварительно смещенным NPN-транзистором в корпусе SOT-23, поставляемым в ленте и катушке (T&R) в количестве 10 000 штук.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: NPN, предварительно смещенный (Pre-Biased).
    • Корпус: SOT-23.
    • Наличие встроенных резисторов: Да, включает в себя входной резистор (R1) и резистор "база-эмиттер" (R2).
    • Значения резисторов: Обычно R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм (для серии 114Y).
    • Напряжение коллектор-эмиттер (Vce): Типичное значение 50 В.
    • Ток коллектора (Ic): Типичное значение 100 мА.
    • Рассеиваемая мощность (Pd): Типичное значение 200 мВт.
    • Рабочая температура: Обычно от -55°C до +150°C.
    • Количество в упаковке: 10 000 штук (лента и катушка).
  • Плюсы:
    • Упрощение схемы: Встроенные резисторы устраняют необходимость во внешних компонентах, сокращая количество деталей и площадь печатной платы.
    • Снижение затрат: Меньше компонентов означает меньшие затраты на закупку и сборку.
    • Повышенная надежность: Меньше паяных соединений снижает вероятность отказов.
    • Экономия места: Малый корпус SOT-23 идеально подходит для компактных устройств.
    • Уменьшение шума: Интеграция резисторов может помочь в снижении шума и помех.
    • Удобство монтажа: Поставка в ленте и катушке (T&R) оптимизирована для автоматизированного монтажа.
  • Минусы:
    • Ограниченная гибкость: Фиксированные значения встроенных резисторов могут быть неоптимальными для всех применений.
    • Сложнее отлаживать: В случае проблем со смещением, изменение параметров требует замены транзистора, а не просто резистора.
    • Меньшая рассеиваемая мощность: Как правило, эти транзисторы предназначены для маломощных применений.
  • Общее назначение:
  • Предварительно смещенные транзисторы предназначены для использования в качестве простых драйверов, переключателей или усилителей в низковольтных и маломощных схемах. Встроенные резисторы автоматически устанавливают рабочую точку транзистора, упрощая проектирование и сборку.

  • В каких устройствах применяется:
    • Драйверы светодиодов (LED drivers).
    • Интерфейсные схемы (например, между микроконтроллерами и другими компонентами).
    • Маломощные реле и соленоиды.
    • Управление подсветкой LCD-дисплеев.
    • Портативная электроника (мобильные телефоны, планшеты, носимые устройства).
    • Бытовая электроника (пульты ДУ, игрушки, мелкая бытовая техника).
    • Автомобильная электроника (некритичные вспомогательные функции).
    • Простые логические схемы.
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC114YCAQ-13-F

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3

Техническая документация

 DDTC114YCAQ-13-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTD123TCT116Транзистор: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
    52Кешбэк 7 баллов
    DTD123YCHZGT116Транзистор: DTD123YCHZG IS THE HIGH RELIABIL
    52Кешбэк 7 баллов
    DTB113ECT116Транзистор: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTA123JCAHZGT116Транзистор: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTA124ECAHZGT116Транзистор: DTA124ECAHZG IS THE HIGH RELIABI
    52Кешбэк 7 баллов
    DTB123YCT116Транзистор: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    52Кешбэк 7 баллов
    DTD123YCT116Транзистор: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
    52Кешбэк 7 баллов
    DTC123JU3HZGT106Транзистор: DTC123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC144EU3HZGT106Транзистор: DTC144EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC113ZU3HZGT106Транзистор: DTC113ZU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC114EU3HZGT106Транзистор: DTC114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC143XU3HZGT106Транзистор: DTC143XU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC114YU3HZGT106Транзистор: DTC114YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC123YU3HZGT106Транзистор: DTC123YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA143TU3HZGT106Транзистор: DTA143TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA114YU3HZGT106Транзистор: DTA114YU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC114TU3HZGT106Транзистор: DTC114TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA113ZU3HZGT106Транзистор: DTA113ZU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC143ZU3HZGT106Транзистор: DTC143ZU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA143EU3HZGT106Транзистор: DTA143EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC124XU3HZGT106Транзистор: DTC124XU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA123EU3HZGT106Транзистор: DTA123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA124EU3HZGT106Транзистор: DTA124EU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA144EU3HZGT106Транзистор: DTA144EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC143EU3HZGT106Транзистор: DTC143EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA114EU3HZGT106Транзистор: DTA114EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC143TU3HZGT106Транзистор: DTC143TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA123YEFRATLТранзистор: PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
    54Кешбэк 8 баллов
    DTA124XU3HZGT106Транзистор: DTA124XU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    54Кешбэк 8 баллов
    DTC123EU3HZGT106Транзистор: DTC123EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП