Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1
;
DF150R12RT4HOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DF150R12RT4HOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 790WВсе характеристики

Минимальная цена DF150R12RT4HOSA1 при покупке от 4 шт 16693.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DF150R12RT4HOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200 В
    • Номинальный ток: 150 А
    • Мощность: 790 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота интеграции в системы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных электроприводах
    • В автомобилестроении для систем управления двигателем
    • В солнечных батареях для управления током
    • В системах хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики DF150R12RT4HOSA1

Техническая документация

DF150R12RT4HOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 3425 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 4 шт
  • Количество
    Цена
  • 4
    16 693 ₽
  • 10
    17 472 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DF150R12RT4HOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 790WВсе характеристики

Минимальная цена DF150R12RT4HOSA1 при покупке от 4 шт 16693.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DF150R12RT4HOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200 В
    • Номинальный ток: 150 А
    • Мощность: 790 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота интеграции в системы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных электроприводах
    • В автомобилестроении для систем управления двигателем
    • В солнечных батареях для управления током
    • В системах хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики DF150R12RT4HOSA1

Техническая документация

DF150R12RT4HOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 4 шт