DF150R12W1H3FB11BOMA1

DF150R12W1H3FB11BOMA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY

• Основные параметры:
  • Мощность: 150 ВАтт
  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 1200 В
  • Номинальный ток коллектора: 12 А
  • Тип: IGBT модуль
  • Применение: низкая мощность
• Плюсы:
  • Высокая эффективность работы
  • Устойчивость к перегреву
  • Удобство монтажа и использования
  • Снижение шумов и вибраций
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
  • Необходимость дополнительного охлаждения для высоких мощностей
• Общее назначение:
  • Использование в маломощных электроприборах и системах
  • Контроль тока в электронных устройствах
  • Ограничение напряжений в цепях
• В каких устройствах применяется:
  • Маломощные инверторы
  • Регуляторы напряжения
  • Электродвигатели малой мощности
  • Автомобильные системы
  • Приборы для домашнего использования (например, стиральные машины)