Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DI070P04PQ-AQ
  • В избранное
  • В сравнение
DI070P04PQ-AQ

DI070P04PQ-AQ

DI070P04PQ-AQ
;
DI070P04PQ-AQ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diotec Semiconductor
  • Артикул:
    DI070P04PQ-AQ
  • Описание:
    MOSFET 40V 70A P 46WВсе характеристики

Минимальная цена DI070P04PQ-AQ при покупке от 1 шт 441.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DI070P04PQ-AQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DI070P04PQ-AQ

Основные параметры:

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: P-канальный (указано "P" в названии, что обычно обозначает P-канал)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 40 В
  • Максимальный постоянный ток стока (Id): 70 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 Вт

Плюсы:

  • Высокий ток: 70 А позволяет использовать его в мощных приложениях.
  • Относительно низкое напряжение: 40 В подходит для систем с низким и средним напряжением питания.
  • P-канальный: Упрощает управление в некоторых схемах, особенно при коммутации "по высокой стороне" (High-Side Switching), где источник нагрузки подключен к земле.

Минусы:

  • Средняя рассеиваемая мощность: 46 Вт требует эффективного отвода тепла при работе на максимальных токах.
  • P-канальные MOSFETы обычно имеют более высокое сопротивление открытого канала (Rds(on)) по сравнению с N-канальными аналогами при прочих равных условиях, что приводит к большим потерям мощности и нагреву.
  • Требует отрицательного напряжения затвор-исток для полного открытия.

Общее назначение:

DI070P04PQ-AQ - это мощный P-канальный MOSFET, предназначенный для коммутации и регулирования электрических цепей с относительно низким напряжением и высоким током. Он может использоваться как электронный ключ, усилитель или регулятор мощности.

Применяется в следующих устройствах:

  • DC-DC преобразователи (например, понижающие преобразователи)
  • Управление двигателями постоянного тока (например, в робототехнике, электроинструментах)
  • Системы управления питанием (например, защита от переполюсовки, коммутация батарей)
  • Светодиодные драйверы высокой мощности
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Автомобильная электроника (например, системы управления освещением, инжекторы)
  • Инверторы малой и средней мощности
Выбрано: Показать

Характеристики DI070P04PQ-AQ

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    125 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7560 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    46W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-QFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN

Техническая документация

 DI070P04PQ-AQ.pdf
pdf. 0 kb
  • 4450 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    441 ₽
  • 10
    283 ₽
  • 100
    193 ₽
  • 500
    154 ₽
  • 5000
    123 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diotec Semiconductor
  • Артикул:
    DI070P04PQ-AQ
  • Описание:
    MOSFET 40V 70A P 46WВсе характеристики

Минимальная цена DI070P04PQ-AQ при покупке от 1 шт 441.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DI070P04PQ-AQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DI070P04PQ-AQ

Основные параметры:

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: P-канальный (указано "P" в названии, что обычно обозначает P-канал)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 40 В
  • Максимальный постоянный ток стока (Id): 70 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 Вт

Плюсы:

  • Высокий ток: 70 А позволяет использовать его в мощных приложениях.
  • Относительно низкое напряжение: 40 В подходит для систем с низким и средним напряжением питания.
  • P-канальный: Упрощает управление в некоторых схемах, особенно при коммутации "по высокой стороне" (High-Side Switching), где источник нагрузки подключен к земле.

Минусы:

  • Средняя рассеиваемая мощность: 46 Вт требует эффективного отвода тепла при работе на максимальных токах.
  • P-канальные MOSFETы обычно имеют более высокое сопротивление открытого канала (Rds(on)) по сравнению с N-канальными аналогами при прочих равных условиях, что приводит к большим потерям мощности и нагреву.
  • Требует отрицательного напряжения затвор-исток для полного открытия.

Общее назначение:

DI070P04PQ-AQ - это мощный P-канальный MOSFET, предназначенный для коммутации и регулирования электрических цепей с относительно низким напряжением и высоким током. Он может использоваться как электронный ключ, усилитель или регулятор мощности.

Применяется в следующих устройствах:

  • DC-DC преобразователи (например, понижающие преобразователи)
  • Управление двигателями постоянного тока (например, в робототехнике, электроинструментах)
  • Системы управления питанием (например, защита от переполюсовки, коммутация батарей)
  • Светодиодные драйверы высокой мощности
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Автомобильная электроника (например, системы управления освещением, инжекторы)
  • Инверторы малой и средней мощности
Выбрано: Показать

Характеристики DI070P04PQ-AQ

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    125 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7560 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    46W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-QFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN

Техническая документация

 DI070P04PQ-AQ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPA60R360P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
    382Кешбэк 57 баллов
    BSC014N04LSTATMA1MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC190N15NS3GATMA1MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC0702LSATMA1MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
    385Кешбэк 57 баллов
    IPD80R600P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
    387Кешбэк 58 баллов
    IPAN60R210PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220
    387Кешбэк 58 баллов
    IPA082N10NF2SXKSA1TRENCH >=100V PG-TO220-3
    387Кешбэк 58 баллов
    BSC109N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD70N12S311ATMA1MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
    389Кешбэк 58 баллов
    BSC070N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD85P04P4L06ATMA2MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
    391Кешбэк 58 баллов
    IPD90P03P404ATMA2MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
    393Кешбэк 58 баллов
    IPG20N04S4-08IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
    395Кешбэк 59 баллов
    IPD90R1K2C3ATMA2MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
    395Кешбэк 59 баллов
    ISC0802NLSATMA1MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
    395Кешбэк 59 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    396Кешбэк 59 баллов
    ISZ080N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
    398Кешбэк 59 баллов
    IPB123N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
    398Кешбэк 59 баллов
    ISC0702NLSATMA1MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
    400Кешбэк 60 баллов
    BSZ040N06LS5ATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    402Кешбэк 60 баллов
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    406Кешбэк 60 баллов
    IPD90N03S4L03ATMA1MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    406Кешбэк 60 баллов
    BSZ16DN25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    408Кешбэк 61 балл
    BSZ096N10LS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
    411Кешбэк 61 балл
    BSC016N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
    411Кешбэк 61 балл
    ISC0602NLSATMA1MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
    411Кешбэк 61 балл
    IPP60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    411Кешбэк 61 балл
    IPD380P06NMATMA1MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
    413Кешбэк 61 балл
    IPP50R190CEXKSA1MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
    415Кешбэк 62 балла
    ISC012N04NM6ATMA1TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
    419Кешбэк 62 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП