Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
DMC6040SSDQ-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMC6040SSDQ-13

DMC6040SSDQ-13

DMC6040SSDQ-13
;
DMC6040SSDQ-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMC6040SSDQ-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена DMC6040SSDQ-13 при покупке от 1 шт 163.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMC6040SSDQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMC6040SSDQ-13

Детальное описание:

  • Маркировка DMC6040SSDQ-13: Это обозначение MOSFET (MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO).
  • Производитель Diodes Incorporated: Компания Diodes Incorporated специализируется на разработке и производстве различных интегральных схем.

Основные параметры:

  • N/P-CH: Тип MOSFET (N-канальный или P-канальный).
  • 60V: Рейтинг напряжения.
  • 5.1A: Максимальный ток.
  • 8SO: Пакетная оболочка с 8 контактами.

Плюсы:

  • Высокая надежность: Производимые Diodes Incorporated.
  • Устойчивость к напряжению: Рейтинг 60В обеспечивает хорошую защиту от перенапряжений.
  • Высокий ток: Максимальный ток 5.1А позволяет использовать его в мощных приложениях.
  • Простота использования: 8SO пакет делает его удобным для монтажа и применения.

Минусы:

  • Тепловыделение: При высоких нагрузках может возникать значительное тепловыделение.
  • Энергопотребление: В некоторых случаях может потреблять дополнительную энергию при работе.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения: Используется для стабилизации напряжения в различных электронных устройствах.
  • Защита от перенапряжений: Защита от скачков напряжения в электрической сети.
  • Обеспечение питания: Управление потоком тока для обеспечения правильного питания компонентов.

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства: Например, смартфоны и планшеты.
  • Автомобильная электроника: Контроль работы систем в автомобилях.
  • Инверторы: Для преобразования напряжения.
  • Системы управления двигателем: Для управления мощными двигателями.
Выбрано: Показать

Характеристики DMC6040SSDQ-13

  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel Complementary
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.1A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.8nC @ 30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1130pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.24W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    DMC6040

Техническая документация

 DMC6040SSDQ-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 2124 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    163 ₽
  • 100
    85 ₽
  • 1000
    68 ₽
  • 5000
    52 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMC6040SSDQ-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена DMC6040SSDQ-13 при покупке от 1 шт 163.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMC6040SSDQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMC6040SSDQ-13

Детальное описание:

  • Маркировка DMC6040SSDQ-13: Это обозначение MOSFET (MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO).
  • Производитель Diodes Incorporated: Компания Diodes Incorporated специализируется на разработке и производстве различных интегральных схем.

Основные параметры:

  • N/P-CH: Тип MOSFET (N-канальный или P-канальный).
  • 60V: Рейтинг напряжения.
  • 5.1A: Максимальный ток.
  • 8SO: Пакетная оболочка с 8 контактами.

Плюсы:

  • Высокая надежность: Производимые Diodes Incorporated.
  • Устойчивость к напряжению: Рейтинг 60В обеспечивает хорошую защиту от перенапряжений.
  • Высокий ток: Максимальный ток 5.1А позволяет использовать его в мощных приложениях.
  • Простота использования: 8SO пакет делает его удобным для монтажа и применения.

Минусы:

  • Тепловыделение: При высоких нагрузках может возникать значительное тепловыделение.
  • Энергопотребление: В некоторых случаях может потреблять дополнительную энергию при работе.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения: Используется для стабилизации напряжения в различных электронных устройствах.
  • Защита от перенапряжений: Защита от скачков напряжения в электрической сети.
  • Обеспечение питания: Управление потоком тока для обеспечения правильного питания компонентов.

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные устройства: Например, смартфоны и планшеты.
  • Автомобильная электроника: Контроль работы систем в автомобилях.
  • Инверторы: Для преобразования напряжения.
  • Системы управления двигателем: Для управления мощными двигателями.
Выбрано: Показать

Характеристики DMC6040SSDQ-13

  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel Complementary
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.1A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.8nC @ 30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1130pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.24W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    DMC6040

Техническая документация

 DMC6040SSDQ-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMPH6050SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
    252Кешбэк 37 баллов
    DMTH6010LPDQ-13Транзистор: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
    219Кешбэк 32 балла
    DMTH6016LPDQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
    230Кешбэк 34 балла
    BSS84DWQ-7Транзистор: BSS FAMILY SOT363 T&R 3K
    87Кешбэк 13 баллов
    DMNH4026SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO
    233Кешбэк 34 балла
    DMN6022SSD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
    215Кешбэк 32 балла
    DMN1003UCA6-7Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
    161Кешбэк 24 балла
    DMN53D0LDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
    91Кешбэк 13 баллов
    DMC6040SSDQ-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
    163Кешбэк 24 балла
    DMP2200UFCL-7Транзистор: MOSFET 8V~24V U-DFN1616-6
    100Кешбэк 15 баллов
    DMPH6050SPDQ-13Транзистор: MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8
    328Кешбэк 49 баллов
    DMT47M2LDVQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
    280Кешбэк 42 балла
    DMTH6016LPD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
    283Кешбэк 42 балла
    DMC2038LVTQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
    107Кешбэк 16 баллов
    DMTH8030LPDWQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
    272Кешбэк 40 баллов
    DMN2022UNS-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
    183Кешбэк 27 баллов
    DMP31D7LDW-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363
    63Кешбэк 9 баллов
    2N7002DWK-7Транзистор: 2N7002 FAMILY SOT363 T&R 3K
    37Кешбэк 5 баллов
    DMC4029SK4-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252
    139Кешбэк 20 баллов
    DMHC4035LSDQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
    315Кешбэк 47 баллов
    DMP4025LSDQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
    298Кешбэк 44 балла
    DMC21D1UDA-7BТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6
    80Кешбэк 12 баллов
    DMT10H017LPD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
    372Кешбэк 55 баллов
    DMN63D1LV-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    DMTH6016LSD-13Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO
    263Кешбэк 39 баллов
    DMG1026UVQ-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
    96Кешбэк 14 баллов
    DMN3012LEG-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
    408Кешбэк 61 балл
    DMN2036UCB4-7Транзистор: MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4
    148Кешбэк 22 балла
    DMPH6050SSD-13Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
    228Кешбэк 34 балла
    DMN62D0UDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП