Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMG1013UWQ-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13
;
DMG1013UWQ-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG1013UWQ-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323Все характеристики

Минимальная цена DMG1013UWQ-13 при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG1013UWQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13 — это полупроводниковый транзистор с тяговым каналом N-канального типа (MOSFET P-CH), выпускаемый компанией Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Напряжение блокировки: 20В
  • Текущий тяги: 820mA
  • Форм-фактор: SOT323

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Малый размер и легкость интеграции в платы
  • Устойчивость к перепадам напряжения

Минусы:

  • Могут быть чувствительны к перегреву
  • Требуют дополнительных компонентов для правильной работы в некоторых схемах

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, где требуется управление током или преобразование сигналов. Особо актуален в:

  • Автомобильных системах
  • Промышленном оборудовании
  • Электронных приборах
  • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики DMG1013UWQ-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    820mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    750mOhm @ 430mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.62 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    59.76 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    DMG1013

Техническая документация

 DMG1013UWQ-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 22200 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 ₽
  • 100
    22.8 ₽
  • 1000
    15 ₽
  • 5000
    11.5 ₽
  • 20000
    9.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG1013UWQ-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323Все характеристики

Минимальная цена DMG1013UWQ-13 при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG1013UWQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG1013UWQ-13

DMG1013UWQ-13 — это полупроводниковый транзистор с тяговым каналом N-канального типа (MOSFET P-CH), выпускаемый компанией Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Напряжение блокировки: 20В
  • Текущий тяги: 820mA
  • Форм-фактор: SOT323

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Малый размер и легкость интеграции в платы
  • Устойчивость к перепадам напряжения

Минусы:

  • Могут быть чувствительны к перегреву
  • Требуют дополнительных компонентов для правильной работы в некоторых схемах

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, где требуется управление током или преобразование сигналов. Особо актуален в:

  • Автомобильных системах
  • Промышленном оборудовании
  • Электронных приборах
  • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики DMG1013UWQ-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    820mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    750mOhm @ 430mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.62 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    59.76 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    DMG1013

Техническая документация

 DMG1013UWQ-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RQ5E040RPTLMOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
    156Кешбэк 23 балла
    RS1E220ATTB1MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
    608Кешбэк 91 балл
    SCT3160KW7TLSICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
    2 014Кешбэк 302 балла
    RXH100N03TB14V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
    283Кешбэк 42 балла
    RQ6E060ATTCRMOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
    196Кешбэк 29 баллов
    RQ3G110ATTBPCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
    400Кешбэк 60 баллов
    RSJ301N10TLNCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3
    580Кешбэк 87 баллов
    SCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
    2 223Кешбэк 333 балла
    RQ5L020SNTLMOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
    141Кешбэк 21 балл
    RUQ050N02HZGTRMOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
    195Кешбэк 29 баллов
    RQ5E025SNTLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    126Кешбэк 18 баллов
    RQ6A050ZPTRMOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
    207Кешбэк 31 балл
    RQ5E050ATTCLMOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
    170Кешбэк 25 баллов
    R6015ENXC7G600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
    734Кешбэк 110 баллов
    RUL035N02FRATRMOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
    152Кешбэк 22 балла
    RQ6C065BCTCRMOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
    148Кешбэк 22 балла
    RRL035P03FRATRMOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
    119Кешбэк 17 баллов
    RD3L03BATTL1PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
    378Кешбэк 56 баллов
    RD3P050SNFRATLMOSFET N-CH 100V 5A TO252
    321Кешбэк 48 баллов
    RTF025N03FRATLMOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
    100Кешбэк 15 баллов
    RQ3L090GNTBMOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
    293Кешбэк 43 балла
    RQ5L035GNTCLMOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
    172Кешбэк 25 баллов
    R8001CND3FRATLТранзистор: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
    487Кешбэк 73 балла
    RQ5E065AJTCLMOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
    122Кешбэк 18 баллов
    RQ7E055ATTCRMOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
    198Кешбэк 29 баллов
    RSR025N05HZGTLMOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
    143Кешбэк 21 балл
    RQ5E040TNTLMOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
    169Кешбэк 25 баллов
    RS3E130ATTB1PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
    417Кешбэк 62 балла
    RRR030P03HZGTLТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
    137Кешбэк 20 баллов
    R6004PND3FRATLMOSFET N-CH 600V 4A TO252
    641Кешбэк 96 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП