DMG1016V-7

DMG1016V-7 DIODES INCORPORATED

• Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Основные параметры:

• Номинальное напряжение включенного канала (V_DS(on)): ≤ 1.0 В
• Номинальный ток дrain (I_D(on)): 1.6 А
• Номинальное напряжение питания (V_GS(th)): 2.0 В
• Тип: N-канальный MOSFET
• Пакет: SOT563
• Максимальное напряжение между дреном и эмиттером (V_DS(max)): 20 В

Плюсы:

• Низкое сопротивление включенного канала: обеспечивает эффективную передачу тока при низком энергетическом затрате.
• Короткий канал: уменьшает паразитные емкости и способствует быстрому переходу в режимы включения и выключения.
• Малый размер: облегчает размещение на печатной плате.
• Высокая надежность: за счет стабильных характеристик и высокого КПД.

Минусы:

• Зависимость характеристик от температуры: может потребовать дополнительного охлаждения или компенсации.
• Требуется достаточная площадь для теплоотвода: особенно важно при больших нагрузках.

Общее назначение:

• Управление токами в электронных устройствах.
• Переключение высоких напряжений и токов.
• Ограничение тока и защиты электронных компонентов.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы управления двигателем.
• Системы питания и преобразования напряжений.
• Мобильные устройства (батарейные блоки питания).
• Инверторы и преобразователи.
• Промышленные контроллеры и системы управления.