Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMG1016V-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMG1016V-7

DMG1016V-7

DMG1016V-7
;
DMG1016V-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMG1016V-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563Все характеристики

Минимальная цена DMG1016V-7 при покупке от 1 шт 86.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG1016V-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG1016V-7

DMG1016V-7 DIODES INCORPORATED

  • Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение включенного канала (VDS(on)): ≤ 1.0 В
  • Номинальный ток дrain (ID(on)): 1.6 А
  • Номинальное напряжение питания (VGS(th)): 2.0 В
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Пакет: SOT563
  • Максимальное напряжение между дреном и эмиттером (VDS(max)): 20 В

Плюсы:

  • Низкое сопротивление включенного канала: обеспечивает эффективную передачу тока при низком энергетическом затрате.
  • Короткий канал: уменьшает паразитные емкости и способствует быстрому переходу в режимы включения и выключения.
  • Малый размер: облегчает размещение на печатной плате.
  • Высокая надежность: за счет стабильных характеристик и высокого КПД.

Минусы:

  • Зависимость характеристик от температуры: может потребовать дополнительного охлаждения или компенсации.
  • Требуется достаточная площадь для теплоотвода: особенно важно при больших нагрузках.

Общее назначение:

  • Управление токами в электронных устройствах.
  • Переключение высоких напряжений и токов.
  • Ограничение тока и защиты электронных компонентов.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Системы питания и преобразования напряжений.
  • Мобильные устройства (батарейные блоки питания).
  • Инверторы и преобразователи.
  • Промышленные контроллеры и системы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG1016V-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    870mA, 640mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Рассеивание мощности
    530mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    DMG1016

Техническая документация

 DMG1016V-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 2463 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    86 ₽
  • 50
    35 ₽
  • 500
    20 ₽
  • 1500
    16.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMG1016V-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563Все характеристики

Минимальная цена DMG1016V-7 при покупке от 1 шт 86.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG1016V-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG1016V-7

DMG1016V-7 DIODES INCORPORATED

  • Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение включенного канала (VDS(on)): ≤ 1.0 В
  • Номинальный ток дrain (ID(on)): 1.6 А
  • Номинальное напряжение питания (VGS(th)): 2.0 В
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Пакет: SOT563
  • Максимальное напряжение между дреном и эмиттером (VDS(max)): 20 В

Плюсы:

  • Низкое сопротивление включенного канала: обеспечивает эффективную передачу тока при низком энергетическом затрате.
  • Короткий канал: уменьшает паразитные емкости и способствует быстрому переходу в режимы включения и выключения.
  • Малый размер: облегчает размещение на печатной плате.
  • Высокая надежность: за счет стабильных характеристик и высокого КПД.

Минусы:

  • Зависимость характеристик от температуры: может потребовать дополнительного охлаждения или компенсации.
  • Требуется достаточная площадь для теплоотвода: особенно важно при больших нагрузках.

Общее назначение:

  • Управление токами в электронных устройствах.
  • Переключение высоких напряжений и токов.
  • Ограничение тока и защиты электронных компонентов.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Системы питания и преобразования напряжений.
  • Мобильные устройства (батарейные блоки питания).
  • Инверторы и преобразователи.
  • Промышленные контроллеры и системы управления.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG1016V-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    870mA, 640mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Рассеивание мощности
    530mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    DMG1016

Техническая документация

 DMG1016V-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMC1229UFDB-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
    141Кешбэк 21 балл
    DMC1229UFDB-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
    141Кешбэк 21 балл
    DMP3098LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
    141Кешбэк 21 балл
    DMN61D8LVT-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
    143Кешбэк 21 балл
    DMN3035LWN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
    143Кешбэк 21 балл
    DMG9926UDM-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
    146Кешбэк 21 балл
    DMN2041LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
    146Кешбэк 21 балл
    DMG6968UTS-13Транзистор
    146Кешбэк 21 балл
    DMN2014LHAB-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
    148Кешбэк 22 балла
    DMC3021LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
    149Кешбэк 22 балла
    DMN4026SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
    150Кешбэк 22 балла
    DMG4800LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
    151Кешбэк 22 балла
    DMC3016LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
    151Кешбэк 22 балла
    DMC1018UPD-13Транзистор
    152Кешбэк 22 балла
    DMN3033LSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    152Кешбэк 22 балла
    DMN3016LDN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
    156Кешбэк 23 балла
    DMC3021LK4-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
    159Кешбэк 23 балла
    DMP2035UTS-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
    165Кешбэк 24 балла
    DMN2016UTS-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
    165Кешбэк 24 балла
    DMP6110SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
    170Кешбэк 25 баллов
    DMN66D0LDW-7Транзистор
    170Кешбэк 25 баллов
    DMN3024LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
    170Кешбэк 25 баллов
    DMP3056LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    170Кешбэк 25 баллов
    DMC6040SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
    172Кешбэк 25 баллов
    DMN4031SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
    172Кешбэк 25 баллов
    DMN2016LHAB-7Транзистор
    172Кешбэк 25 баллов
    DMN3033LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    172Кешбэк 25 баллов
    DMP2004DMK-7Транзистор
    174Кешбэк 26 баллов
    DMC3026LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
    176Кешбэк 26 баллов
    DMC1016UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    176Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП