Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMG1029SV-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

DMG1029SV-7
;
DMG1029SV-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMG1029SV-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V SOT563Все характеристики

Минимальная цена DMG1029SV-7 при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG1029SV-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG1029SV-7

DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED

  • MOSFET N/P-CH 60V SOT563

Основные параметры:

  • Тип: MOSFET (N-канальный)
  • Рейтинг напряжения: 60В
  • Объемная единица: SOT563
  • Максимальный ток: 10А
  • Электрический сопротивление: Rds(on) ≤ 45мО при Vgs = 10В

Плюсы:

  • Высокая скорость включения/выключения (быстрый переключатель)
  • Низкое электрическое сопротивление (низкие потери энергии)
  • Хорошая термостабильность
  • Малый размер благодаря использованию SOT563 оболочки
  • Устойчивость к избыточному напряжению

Минусы:

  • Относительная чувствительность к шумам (возможные ошибки управления)
  • Необходимость использования внешних компонентов для улучшения характеристик
  • Ограниченная мощность по сравнению с транзисторами на кремниевой основе

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Регулировка напряжения
  • Переключение высоких напряжений
  • Защита электронных систем от избыточного напряжения

Применяется в:

  • Приборах для зарядки батарей
  • Автомобильных системах
  • Медицинской технике
  • Инверторах и преобразователях
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DMG1029SV-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    500mA, 360mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.3nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    DMG1029

Техническая документация

 DMG1029SV-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 2090 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 50
    40 ₽
  • 500
    27.4 ₽
  • 1500
    22.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMG1029SV-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V SOT563Все характеристики

Минимальная цена DMG1029SV-7 при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG1029SV-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG1029SV-7

DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED

  • MOSFET N/P-CH 60V SOT563

Основные параметры:

  • Тип: MOSFET (N-канальный)
  • Рейтинг напряжения: 60В
  • Объемная единица: SOT563
  • Максимальный ток: 10А
  • Электрический сопротивление: Rds(on) ≤ 45мО при Vgs = 10В

Плюсы:

  • Высокая скорость включения/выключения (быстрый переключатель)
  • Низкое электрическое сопротивление (низкие потери энергии)
  • Хорошая термостабильность
  • Малый размер благодаря использованию SOT563 оболочки
  • Устойчивость к избыточному напряжению

Минусы:

  • Относительная чувствительность к шумам (возможные ошибки управления)
  • Необходимость использования внешних компонентов для улучшения характеристик
  • Ограниченная мощность по сравнению с транзисторами на кремниевой основе

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Регулировка напряжения
  • Переключение высоких напряжений
  • Защита электронных систем от избыточного напряжения

Применяется в:

  • Приборах для зарядки батарей
  • Автомобильных системах
  • Медицинской технике
  • Инверторах и преобразователях
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DMG1029SV-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    500mA, 360mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.3nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    DMG1029

Техническая документация

 DMG1029SV-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD87351Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
    369Кешбэк 55 баллов
    CSD86360Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
    408Кешбэк 61 балл
    CSD87355Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
    434Кешбэк 65 баллов
    CSD87350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    446Кешбэк 66 баллов
    CSD87353Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    465Кешбэк 69 баллов
    CSD87384MTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
    465Кешбэк 69 баллов
    CSD86330Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
    539Кешбэк 80 баллов
    TPS1120DТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
    608Кешбэк 91 балл
    TPS1120DRТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
    634Кешбэк 95 баллов
    CSD86350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
    719Кешбэк 107 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    739Кешбэк 110 баллов
    2N7002V-TPТранзистор
    80Кешбэк 12 баллов
    SSM6N7002KFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
    37Кешбэк 5 баллов
    SSM6N15AFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
    50Кешбэк 7 баллов
    SSM6N35FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
    65Кешбэк 9 баллов
    SSM6N56FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
    69Кешбэк 10 баллов
    SSM6N58NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    82Кешбэк 12 баллов
    SSM6L09FUTE85LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
    87Кешбэк 13 баллов
    SSM6N57NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    109Кешбэк 16 баллов
    SSM6P49NU,LFТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
    122Кешбэк 18 баллов
    DMC2038LVT-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
    18.5Кешбэк 2 балла
    DMN53D0LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    31Кешбэк 4 балла
    DMN63D8LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    31.5Кешбэк 4 балла
    DMN62D0UDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
    35Кешбэк 5 баллов
    2N7002VA-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
    35Кешбэк 5 баллов
    2N7002DWQ-7-FТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    DMC2700UDM-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT26
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN3190LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN62D0UT-7MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523
    39Кешбэк 5 баллов
    DMN63D8LDWQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    39.6Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП