Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7
;
DMG6601LVT-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMG6601LVT-7 при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG6601LVT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 DIODES INCORPORATED Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение приключении (VGS(th)): 30В
    • Тип канала: N/P-канальный
    • Максимальная рабочая температура: 150°C
    • Пакет: 26TSOT
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи (low RDS(on))
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Высокая скорость переключения
    • Малый тепловыделение
  • Минусы:
    • Требуется управляющий сигнал для работы
    • Не подходит для работы с высокими частотами без дополнительных компонентов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Инверторы
    • Электронные блоки питания
    • Цифровые электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMG6601LVT-7

Техническая документация

DMG6601LVT-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 588 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 50
    36 ₽
  • 500
    20.7 ₽
  • 3000
    16.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DMG6601LVT-7 при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG6601LVT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 DIODES INCORPORATED Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение приключении (VGS(th)): 30В
    • Тип канала: N/P-канальный
    • Максимальная рабочая температура: 150°C
    • Пакет: 26TSOT
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи (low RDS(on))
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Высокая скорость переключения
    • Малый тепловыделение
  • Минусы:
    • Требуется управляющий сигнал для работы
    • Не подходит для работы с высокими частотами без дополнительных компонентов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Инверторы
    • Электронные блоки питания
    • Цифровые электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMG6601LVT-7

Техническая документация

DMG6601LVT-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории