Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMN1004UFDF-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7
;
DMN1004UFDF-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1004UFDF-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN1004UFDF-7 при покупке от 1 шт 118.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1004UFDF-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7 — это MOSFET (MOS-FET) типа N-канальный с низким напряжением включенного состояния от компании Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Напряжение включенного состояния (VGS(th)): ≤ 4 В
  • Размеры пакета: 6UDFN
  • Номинальный ток при рабочем напряжении (ID(on)): 15 А
  • Рабочее напряжение (VDS(max)): 12 В

Плюсы:

  • Низкое напряжение включенного состояния обеспечивает высокую скорость включения и выключения.
  • Высокая токопроводность (15 А) при рабочем напряжении 12 В.
  • Малый размер пакета (6UDFN) позволяет сэкономить место на печатной плате.
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения.

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения надежной работы при больших нагрузках.
  • Необходимо учесть параметры защитных цепей при использовании.

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая токопроводность и быстрота включения/выключения. Применяется в:

  • Инверторах и преобразователях питания.
  • Системах управления двигателем.
  • Автомобильных системах.
  • Промышленном оборудовании.
  • Системах энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1004UFDF-7

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 15A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    47 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2385 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    DMN1004

Техническая документация

 DMN1004UFDF-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 2033 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    118 ₽
  • 100
    61 ₽
  • 1000
    42 ₽
  • 6000
    29 ₽
  • 15000
    28 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1004UFDF-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN1004UFDF-7 при покупке от 1 шт 118.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1004UFDF-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7 — это MOSFET (MOS-FET) типа N-канальный с низким напряжением включенного состояния от компании Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Напряжение включенного состояния (VGS(th)): ≤ 4 В
  • Размеры пакета: 6UDFN
  • Номинальный ток при рабочем напряжении (ID(on)): 15 А
  • Рабочее напряжение (VDS(max)): 12 В

Плюсы:

  • Низкое напряжение включенного состояния обеспечивает высокую скорость включения и выключения.
  • Высокая токопроводность (15 А) при рабочем напряжении 12 В.
  • Малый размер пакета (6UDFN) позволяет сэкономить место на печатной плате.
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения.

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения надежной работы при больших нагрузках.
  • Необходимо учесть параметры защитных цепей при использовании.

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая токопроводность и быстрота включения/выключения. Применяется в:

  • Инверторах и преобразователях питания.
  • Системах управления двигателем.
  • Автомобильных системах.
  • Промышленном оборудовании.
  • Системах энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1004UFDF-7

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 15A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    47 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2385 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    DMN1004

Техническая документация

 DMN1004UFDF-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP2100UQ-7MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
    69Кешбэк 10 баллов
    DMTH84M1SPSQ-13MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
    534Кешбэк 80 баллов
    DMT67M8LPSW-13MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI
    162Кешбэк 24 балла
    DMT6013LSS-13MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
    153Кешбэк 22 балла
    BSS123Q-13Транзистор: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
    40.5Кешбэк 6 баллов
    DMTH43M8LFG-7MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
    258Кешбэк 38 баллов
    DMP3037LSSQ-13MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
    151Кешбэк 22 балла
    DMTH6012LPSWQ-13MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
    173Кешбэк 25 баллов
    DMP4013SPSQ-13MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
    308Кешбэк 46 баллов
    DMP3004SSS-13MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2
    346Кешбэк 51 балл
    DMT10H025LK3-13MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
    177Кешбэк 26 баллов
    DMTH6010LPSWQ-13MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
    219Кешбэк 32 балла
    DMP3099LQ-13MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R
    61Кешбэк 9 баллов
    DMTH43M8LFGQ-7MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
    193Кешбэк 28 баллов
    DMNH6042SPDQ-13MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI
    232Кешбэк 34 балла
    DMPH1006UPSQ-13MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
    311Кешбэк 46 баллов
    DMT15H067SSS-13MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
    256Кешбэк 38 баллов
    DMT64M2LPSW-13MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
    278Кешбэк 41 балл
    DMN1008UFDF-7MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
    64Кешбэк 9 баллов
    DMN1004UFDF-7MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
    118Кешбэк 17 баллов
    DMTH8003SPS-13MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
    341Кешбэк 51 балл
    DMP3011SSS-13MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
    206Кешбэк 30 баллов
    DMTH6004SK3Q-13MOSFET N-CH 60V 100A TO252
    262Кешбэк 39 баллов
    DMTH69M8LFVWQ-7MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
    180Кешбэк 27 баллов
    DMT3006LPS-13MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
    153Кешбэк 22 балла
    DMN3025LFV-7MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    110Кешбэк 16 баллов
    DMT2004UFG-7MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
    186Кешбэк 27 баллов
    DMT8012LSS-13MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
    249Кешбэк 37 баллов
    DMP3036SFV-7MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
    150Кешбэк 22 балла
    DMN3018SFGQ-7MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    144Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП