DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) от компании Diodes Incorporated. Он является N-канальным MOSFETом с напряжением блокировки 100В и током стока 4,2А.

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Напряжение блокировки (V_DS(on)): 100В
• Ток стока (I_D(on)): 4,2А
• Идентификационный номер: PWRDI3333

• Плюсы:
• Высокое напряжение блокировки (100В)
• Высокий ток стока (4,2А)
• Низкий коэффициент включения (V_GS(th))
• Устойчивость к перегреву

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
• Зависимость характеристик от температуры

Общее назначение: DMN10H099SFG-13 используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как источники питания, преобразователи напряжения, драйверы двигателей и системы управления мощностью.

• Применение:
• Источники питания
• Преобразователи напряжения
• Драйверы двигателей
• Системы управления мощностью