Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13
;
DMN10H120SE-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMN10H120SE-13 при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN10H120SE-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13 — это полупроводниковый транзистор с низким напряжением включения (N-канальный MOSFET) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 100 В
  • Номинальная токовая способность (ID): 3,6 А
  • Тип корпуса: SOT223

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность.
  • Малый динамический трение.
  • Высокая скорость включения и выключения.

Минусы:

  • Высокие потери при работе при больших токах.
  • Необходимость использования термопасты или радиатора для охлаждения.

Общее назначение: DMN10H120SE-13 используется в различных электронных устройствах, где требуется управление высокими напряжениями и токами. Это включает:

  • Системы питания.
  • Автомобильные системы.
  • Инверторы.
  • Электронные устройства управления двигателем.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN10H120SE-13

Техническая документация

DMN10H120SE-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 2594 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    161 ₽
  • 100
    68 ₽
  • 1000
    47 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DMN10H120SE-13 при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN10H120SE-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13 — это полупроводниковый транзистор с низким напряжением включения (N-канальный MOSFET) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 100 В
  • Номинальная токовая способность (ID): 3,6 А
  • Тип корпуса: SOT223

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность.
  • Малый динамический трение.
  • Высокая скорость включения и выключения.

Минусы:

  • Высокие потери при работе при больших токах.
  • Необходимость использования термопасты или радиатора для охлаждения.

Общее назначение: DMN10H120SE-13 используется в различных электронных устройствах, где требуется управление высокими напряжениями и токами. Это включает:

  • Системы питания.
  • Автомобильные системы.
  • Инверторы.
  • Электронные устройства управления двигателем.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN10H120SE-13

Техническая документация

DMN10H120SE-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории