DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Diodes Incorporated. Это ненаправленный (N-channel) MOSFET с напряжением блокировки 100В и током пропускаемого тока 3,8А.

• Основные параметры:
• Напряжение блокировки: 100В
• Ток пропускаемый: 3,8А
• Тип: N-канальный
• Производитель: Diodes Incorporated

• Плюсы:
• Высокое напряжение блокировки (100В)
• Высокая проводимость при рабочих температурах
• Малый размер и легкость в установке
• Минимальное энергетическое утечка

• Минусы:
• Необходимо наличие дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения
• Требуется правильная теплоотводная система для обеспечения надежной работы

Общее назначение: DMN10H120SFG-13 используется для регулирования тока в различных электронных устройствах, где требуется управление высокими напряжениями и токами. Основные области применения включают:

• Блоки питания
• Источники питания
• Автомобильные системы
• Электронные устройства бытовой техники
• Системы управления двигателем