DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Этот тип транзистора широко используется в различных электронных устройствах из-за своих уникальных характеристик.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение V_DS(on): 20 В
• Номинальный ток I_D: 10.5 А
• Пакет: 6UDFN

• Плюсы:
• Высокая проводимость в режиме включения (низкое сопротивление при прохождении тока).
• Малые потери энергии при работе.
• Отсутствие эффекта теплового затухания.
• Короткий срок разогрева.
• Простота применения.

• Минусы:
• Уязвимость к удару молнии и электромагнитному излучению.
• Требуется дополнительная защита от перенапряжения.

Общее назначение: DMN2013UFDE-7 используется для управления токами в различных приложениях, таких как:

• Автомобильная электроника (регуляторы напряжения, системы зажигания).
• Промышленное оборудование (преобразователи напряжения, управляющие блоки).
• Измерительная техника.
• Системы питания.

Этот MOSFET подходит для использования в устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность при работе с номинальными напряжениями до 20 В и токами до 10.5 А.