Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN2400UFB-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7
;
DMN2400UFB-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2400UFB-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2400UFB-7 при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2400UFB-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства компании Diodes Incorporated. Этот тип MOSFET предназначен для применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение VDS(on): 20В
    • Номинальный ток ID: 750mA
    • Пакет: 3DFN (3-дименсиональная плоская оболочка)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-состоянии
    • Низкое сопротивление при ON-состоянии
    • Малые размеры благодаря 3DFN пакету
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Наличие ограничений по максимальному току и напряжению
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение: DMN2400UFB-7 используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как питания, преобразователи напряжения, схемы управления силовыми токами и др.

  • Применение:
    • Питание электронных устройств
    • Силовые преобразователи
    • Автомобильные системы
    • Устройства для управления токами
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2400UFB-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    750mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    36 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    470mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1006-3
  • Корпус
    3-UFDFN
  • Base Product Number
    DMN2400

Техническая документация

 DMN2400UFB-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 53166 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    57 ₽
  • 100
    21.7 ₽
  • 1000
    14.2 ₽
  • 6000
    10.3 ₽
  • 15000
    9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2400UFB-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2400UFB-7 при покупке от 1 шт 57.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2400UFB-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства компании Diodes Incorporated. Этот тип MOSFET предназначен для применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение VDS(on): 20В
    • Номинальный ток ID: 750mA
    • Пакет: 3DFN (3-дименсиональная плоская оболочка)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-состоянии
    • Низкое сопротивление при ON-состоянии
    • Малые размеры благодаря 3DFN пакету
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Наличие ограничений по максимальному току и напряжению
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение: DMN2400UFB-7 используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как питания, преобразователи напряжения, схемы управления силовыми токами и др.

  • Применение:
    • Питание электронных устройств
    • Силовые преобразователи
    • Автомобильные системы
    • Устройства для управления токами
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2400UFB-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    750mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    36 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    470mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1006-3
  • Корпус
    3-UFDFN
  • Base Product Number
    DMN2400

Техническая документация

 DMN2400UFB-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDD6680AMOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    FDD6680MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    FDFS2P102AMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
    295Кешбэк 44 балла
    FDW262PMOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
    156Кешбэк 23 балла
    FQD7N10TMMOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
    124Кешбэк 18 баллов
    HUF75229P3MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
    215Кешбэк 32 балла
    FDD8782MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    139Кешбэк 20 баллов
    FDD8444LMOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
    332Кешбэк 49 баллов
    FDZ202PMOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
    80Кешбэк 12 баллов
    HUF76013D3STMOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
    83Кешбэк 12 баллов
    FDMS8674MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN
    156Кешбэк 23 балла
    FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
    258Кешбэк 38 баллов
    FDD6778AMOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    SFR9110TFMOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK
    154Кешбэк 23 балла
    FDU8896Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
    163Кешбэк 24 балла
    FDS9412MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
    61Кешбэк 9 баллов
    NDS9430MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
    174Кешбэк 26 баллов
    SSN1N45BBUMOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
    46Кешбэк 6 баллов
    FDN372SMOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
    43Кешбэк 6 баллов
    FQPF9N50CFMOSFET N-CH 500V 9A TO220F
    198Кешбэк 29 баллов
    HUFA75344G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    446Кешбэк 66 баллов
    FDS7096N3MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
    232Кешбэк 34 балла
    FDW258PMOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    FDD8770MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    109Кешбэк 16 баллов
    FDMA7628FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
    85Кешбэк 12 баллов
    IRFS540AMOSFET N-CH 100V 17A TO220F
    193Кешбэк 28 баллов
    FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
    267Кешбэк 40 баллов
    FDD2570MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
    256Кешбэк 38 баллов
    FDU6680MOSFET N-CH 30V 12A/46A IPAK
    148Кешбэк 22 балла
    FDD6782AMOSFET N-CH 25V 20A DPAK
    107Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП