Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMN2451UFB4Q-7B
  • В избранное
  • В сравнение
DMN2451UFB4Q-7B

DMN2451UFB4Q-7B

DMN2451UFB4Q-7B
;
DMN2451UFB4Q-7B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2451UFB4Q-7B
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-Все характеристики

Минимальная цена DMN2451UFB4Q-7B при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2451UFB4Q-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2451UFB4Q-7B

Маркировка DMN2451UFB4Q-7B:

  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Тип устройства: MOSFET
  • BVDSS: 8V~24V (для каждого канала)
  • Форм-фактор: X2-DFN1006

Основные параметры:

  • Рабочий ток: 1.5A
  • Частота тока: до 100kHz
  • Управляемый напряжение: 3.0V
  • Температурный диапазон: -40°C до +125°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность: благодаря использованию качественных материалов и технологий производства.
  • Широкий диапазон рабочего напряжения: от 8V до 24V для каждого канала, что позволяет использовать его в различных приложениях.
  • Низкий ток утечки: обеспечивает высокую эффективность работы устройства.
  • Компактный размер: DFN1006 форм-фактор позволяет легко интегрировать устройство в различные электронные системы.

Минусы:

  • Высокое сопротивление RDS(on) при низком токе: может ограничивать скорость переключения при низких токах.
  • Необходимость дополнительного охлаждения: при работе на максимальном токе и напряжении может потребоваться дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

  • Переключение нагрузок: используется для управления током в различных электронных устройствах.
  • Применяется в:
    • Питательных цепях электронных устройств
    • Автомобильных системах
    • Мобильных устройствах
    • Промышленных системах
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2451UFB4Q-7B

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    32 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    660mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X2-DFN1006-3
  • Корпус
    3-XFDFN

Техническая документация

 DMN2451UFB4Q-7B.pdf
pdf. 0 kb
  • 4345 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 ₽
  • 100
    16 ₽
  • 1000
    10.3 ₽
  • 5000
    7.8 ₽
  • 20000
    6.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2451UFB4Q-7B
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-Все характеристики

Минимальная цена DMN2451UFB4Q-7B при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2451UFB4Q-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2451UFB4Q-7B

Маркировка DMN2451UFB4Q-7B:

  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Тип устройства: MOSFET
  • BVDSS: 8V~24V (для каждого канала)
  • Форм-фактор: X2-DFN1006

Основные параметры:

  • Рабочий ток: 1.5A
  • Частота тока: до 100kHz
  • Управляемый напряжение: 3.0V
  • Температурный диапазон: -40°C до +125°C

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность: благодаря использованию качественных материалов и технологий производства.
  • Широкий диапазон рабочего напряжения: от 8V до 24V для каждого канала, что позволяет использовать его в различных приложениях.
  • Низкий ток утечки: обеспечивает высокую эффективность работы устройства.
  • Компактный размер: DFN1006 форм-фактор позволяет легко интегрировать устройство в различные электронные системы.

Минусы:

  • Высокое сопротивление RDS(on) при низком токе: может ограничивать скорость переключения при низких токах.
  • Необходимость дополнительного охлаждения: при работе на максимальном токе и напряжении может потребоваться дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

  • Переключение нагрузок: используется для управления током в различных электронных устройствах.
  • Применяется в:
    • Питательных цепях электронных устройств
    • Автомобильных системах
    • Мобильных устройствах
    • Промышленных системах
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2451UFB4Q-7B

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    32 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    660mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X2-DFN1006-3
  • Корпус
    3-XFDFN

Техническая документация

 DMN2451UFB4Q-7B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PJQ5443_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    207Кешбэк 31 балл
    PJS6461-AU_S1_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    204Кешбэк 30 баллов
    PJD15P06A-AU_L2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4443P_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    195Кешбэк 29 баллов
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJA3440-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    PJA3402-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    106Кешбэк 15 баллов
    PJA3401_R1_00001SOT-23, MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ2460_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJQ4441P-AU_R2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    202Кешбэк 30 баллов
    PJA3428_R1_00001SOT-23, MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    PJQ4468AP_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    233Кешбэк 34 балла
    PJW5P06A-AU_R2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    187Кешбэк 28 баллов
    PJA3404-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    PJQ4408P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    141Кешбэк 21 балл
    PJQ4408P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4410P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    124Кешбэк 18 баллов
    PJD50P04_L2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    220Кешбэк 33 балла
    PJC7409_R1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    63Кешбэк 9 баллов
    PJQ4460AP-AU_R2_000A160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    137Кешбэк 20 баллов
    PJE8438_R1_0000150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ4402P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    196Кешбэк 29 баллов
    PJD50P04-AU_L2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    293Кешбэк 43 балла
    PJE138L_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    72Кешбэк 10 баллов
    PJQ5465A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    180Кешбэк 27 баллов
    PJA3439-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    67Кешбэк 10 баллов
    PJW4P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    111Кешбэк 16 баллов
    PJW7N06A_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    148Кешбэк 22 балла
    PJS6415_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    100Кешбэк 15 баллов
    PJQ5423_R2_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    206Кешбэк 30 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП