Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN2600UFB-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7
;
DMN2600UFB-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2600UFB-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2600UFB-7 при покупке от 1 шт 31.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2600UFB-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 25В
  • Номинальная токовая характеристика (ID(on)): 1.3А
  • Пакет: 3DFN

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малый динамический ток утечки
  • Минимальное количество электронов, проводящихся при работе в режиме открытия
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Требует дополнительного проектирования для защиты от обратного напряжения
  • Небольшой ток, что может ограничить его применение в высокоточных системах

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Передача данных
  • Приведение к нулю тока
  • Контроль нагрузки

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Автомобильной электронике
  • Инверторах
  • Системах управления мощностью
  • Данных коммутационных сетях
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2600UFB-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.85 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    70.13 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    540mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1006-3
  • Корпус
    3-UFDFN
  • Base Product Number
    DMN2600

Техническая документация

 DMN2600UFB-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 19113 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    31.5 ₽
  • 10
    8.7 ₽
  • 100
    8.3 ₽
  • 3000
    8.1 ₽
  • 24000
    7.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2600UFB-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2600UFB-7 при покупке от 1 шт 31.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2600UFB-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 25В
  • Номинальная токовая характеристика (ID(on)): 1.3А
  • Пакет: 3DFN

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малый динамический ток утечки
  • Минимальное количество электронов, проводящихся при работе в режиме открытия
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Требует дополнительного проектирования для защиты от обратного напряжения
  • Небольшой ток, что может ограничить его применение в высокоточных системах

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Передача данных
  • Приведение к нулю тока
  • Контроль нагрузки

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Автомобильной электронике
  • Инверторах
  • Системах управления мощностью
  • Данных коммутационных сетях
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2600UFB-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.85 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    70.13 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    540mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1006-3
  • Корпус
    3-UFDFN
  • Base Product Number
    DMN2600

Техническая документация

 DMN2600UFB-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFR7440TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
    298Кешбэк 44 балла
    STW20NM50FDMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
    1 086Кешбэк 162 балла
    STW12N150K5MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
    1 593Кешбэк 238 баллов
    STP140N6F7MOSFET N-CH 60V 80A TO220
    398Кешбэк 59 баллов
    IRFP1405PBFMOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
    565Кешбэк 84 балла
    TK14N65W,S1FMOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
    913Кешбэк 136 баллов
    STW28NM50NТранзистор: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
    1 554Кешбэк 233 балла
    STF38N65M5MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
    954Кешбэк 143 балла
    STY60NK30ZMOSFET N-CH 300V 60A MAX247
    2 019Кешбэк 302 балла
    CSD18542KCSMOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
    482Кешбэк 72 балла
    TK13A45D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS
    572Кешбэк 85 баллов
    STW33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO247
    828Кешбэк 124 балла
    SI2308BDS-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
    119Кешбэк 17 баллов
    TK39A60W,S4VXMOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
    1 879Кешбэк 281 балл
    PSMN6R5-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    648Кешбэк 97 баллов
    IXTK180N15PMOSFET N-CH 150V 180A TO264
    3 005Кешбэк 450 баллов
    IRF7607TRPBFMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
    140Кешбэк 21 балл
    STB7NK80ZT4MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
    578Кешбэк 86 баллов
    STW13N80K5MOSFET N-CH 800V 12A TO247
    854Кешбэк 128 баллов
    STW20NM60FDMOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
    1 351Кешбэк 202 балла
    IXFA16N50P3MOSFET N-CH 500V 16A TO263
    886Кешбэк 132 балла
    PMV20ENRMOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
    85Кешбэк 12 баллов
    IPZ65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
    916Кешбэк 137 баллов
    SPA15N60C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
    476Кешбэк 71 балл
    SI2337DS-T1-E3MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
    283Кешбэк 42 балла
    APT14M120BMOSFET N-CH 1200V 14A TO247
    1 688Кешбэк 253 балла
    IRF9310TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
    323Кешбэк 48 баллов
    TK62N60X,S1FMOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
    2 481Кешбэк 372 балла
    FCP16N60MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3
    837Кешбэк 125 баллов
    FDH055N15AMOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
    1 201Кешбэк 180 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП