DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7 — это MOSFET от компании Diodes Incorporated. Это транзистор с низким напряжением вдоль канала (V_DS(on)) и высокой пропускной способностью.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение блокировки V_DS: 30 В
• Пропускная способность I_DS(on): 7.3 А
• Напряжение вдоль канала V_GS(th): 8 В
• Форм-фактор: 8VDFN (8-пиновый пакет)

• Плюсы:
• Высокая пропускная способность для своей категории
• Низкое напряжение вдоль канала обеспечивает более эффективную работу
• Малый размер пакета обеспечивает компактность в дизайне
• Устойчивость к перегреву

• Минусы:
• Требует внимания при проектировании для предотвращения перегрева
• Не подходит для всех типов приложений из-за ограничений по напряжению и тока

Общее назначение: DMN3016LDN-7 используется в различных приложениях, требующих высокой пропускной способности и низкого напряжения вдоль канала. Это включает в себя:

• Регуляторы напряжения
• Блоки питания
• Измерительные устройства
• Автомобильные системы
• Системы управления двигателем