Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMN3060LCA3-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN3060LCA3-7

DMN3060LCA3-7

DMN3060LCA3-7
;
DMN3060LCA3-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN3060LCA3-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3Все характеристики

Минимальная цена DMN3060LCA3-7 при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3060LCA3-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3060LCA3-7

DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД: 30В
    • Размерный ток (ID): 3.9А
    • Количество дисков: 4
    • Марка: X4DSN1006-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий ток шунтирования
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие требования к термостатированию при высоких нагрузках
    • Требуется дополнительное охлаждение для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление высокими токами
    • Применяется в системах питания, преобразователях и управляющих устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание серверных систем
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы и преобразователи частоты
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3060LCA3-7

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 8V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 500mA, 8V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.677 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    192 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    790mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X4-DSN1006-3
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    DMN3060

Техническая документация

 DMN3060LCA3-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 1923 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    99 ₽
  • 100
    39 ₽
  • 1000
    25 ₽
  • 5000
    20.6 ₽
  • 20000
    17 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN3060LCA3-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3Все характеристики

Минимальная цена DMN3060LCA3-7 при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3060LCA3-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3060LCA3-7

DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД: 30В
    • Размерный ток (ID): 3.9А
    • Количество дисков: 4
    • Марка: X4DSN1006-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий ток шунтирования
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие требования к термостатированию при высоких нагрузках
    • Требуется дополнительное охлаждение для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление высокими токами
    • Применяется в системах питания, преобразователях и управляющих устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание серверных систем
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы и преобразователи частоты
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3060LCA3-7

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 8V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 500mA, 8V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.677 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    192 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    790mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X4-DSN1006-3
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    DMN3060

Техническая документация

 DMN3060LCA3-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDD86381-F085MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
    125Кешбэк 18 баллов
    MTD5N25E1NFET DPAK 250V 1.0R
    126Кешбэк 18 баллов
    MTB60N05HDLT4N-CHANNEL POWER MOSFET
    128Кешбэк 19 баллов
    2SK4098LSN-CHANNEL POWER MOSFET
    128Кешбэк 19 баллов
    NTMFS6D1N08HT1GMOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
    128Кешбэк 19 баллов
    SVD2955T4GMOSFET P-CH 60V 12A DPAK
    130Кешбэк 19 баллов
    NTMFS5C430NT1GMOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
    130Кешбэк 19 баллов
    NTTFS020N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
    130Кешбэк 19 баллов
    NTTFS024N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
    132Кешбэк 19 баллов
    NTMFS4C028NT1GMOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
    134Кешбэк 20 баллов
    NTTFS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    136Кешбэк 20 баллов
    FQP3N50C-F080MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
    138Кешбэк 20 баллов
    NVTFS6H880NTAGMOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
    138Кешбэк 20 баллов
    NTR3A052PZT1GMOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
    139Кешбэк 20 баллов
    NTTFS5C460NLTAGMOSFET N CH 40V 19A/74A 8WDFN
    141Кешбэк 21 балл
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    NTTFS016N06CTAGMOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
    143Кешбэк 21 балл
    2SK4101FSN-CHANNEL POWER MOSFET
    145Кешбэк 21 балл
    MTB9N25ET4N-CHANNEL POWER MOSFET
    145Кешбэк 21 балл
    FCPF600N65S3R0LMOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3
    147Кешбэк 22 балла
    MTB16N25ET4N-CHANNEL POWER MOSFET
    149Кешбэк 22 балла
    FCPF250N65S3R0LMOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
    149Кешбэк 22 балла
    NTMFS024N06CT1GMOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
    149Кешбэк 22 балла
    NVATS5A113PLZT4GMOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
    151Кешбэк 22 балла
    NTTFS5C670NLTWGMOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
    151Кешбэк 22 балла
    FQU4N50TU-WSMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
    152Кешбэк 22 балла
    NVTFS070N10MCLTAGPTNG 100V LL U8FL
    152Кешбэк 22 балла
    NTTFS5C466NLTAGMOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
    156Кешбэк 23 балла
    NTLJS5D0N03CTAGMOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
    158Кешбэк 23 балла
    FDB9409-F085MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
    158Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП