Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMN3135LVT-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7
;
DMN3135LVT-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN3135LVT-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26Все характеристики

Минимальная цена DMN3135LVT-7 при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3135LVT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7 — это MOSFET (MOS-транзистор) производства компании Diodes Incorporated. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток пропускания (ID): 3.5 A
    • Номинальное напряжение на дрене-точка: 30 V
    • Технология пакета: TSOT26
  • Преимущества:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый размер и легкий монтаж благодаря TSOT26 пакету
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Недостатки:
    • Могут быть ограничения по мощности при высоких температурах
    • Необходимо соблюдать условия охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение сигналов
    • Изоляция логических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Инверторы
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3135LVT-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 3.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.1nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    305pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    840mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSOT-26
  • Base Product Number
    DMN3135

Техническая документация

 DMN3135LVT-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 180 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    104 ₽
  • 100
    48 ₽
  • 1000
    36 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN3135LVT-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26Все характеристики

Минимальная цена DMN3135LVT-7 при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3135LVT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7 — это MOSFET (MOS-транзистор) производства компании Diodes Incorporated. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток пропускания (ID): 3.5 A
    • Номинальное напряжение на дрене-точка: 30 V
    • Технология пакета: TSOT26
  • Преимущества:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый размер и легкий монтаж благодаря TSOT26 пакету
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Недостатки:
    • Могут быть ограничения по мощности при высоких температурах
    • Необходимо соблюдать условия охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение сигналов
    • Изоляция логических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Питание электронных устройств
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Инверторы
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3135LVT-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 3.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.1nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    305pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    840mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSOT-26
  • Base Product Number
    DMN3135

Техническая документация

 DMN3135LVT-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD87351Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
    369Кешбэк 55 баллов
    CSD86360Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
    408Кешбэк 61 балл
    CSD87355Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
    434Кешбэк 65 баллов
    CSD87350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    446Кешбэк 66 баллов
    CSD87353Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    465Кешбэк 69 баллов
    CSD87384MTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
    465Кешбэк 69 баллов
    CSD86330Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
    539Кешбэк 80 баллов
    TPS1120DТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
    608Кешбэк 91 балл
    TPS1120DRТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
    634Кешбэк 95 баллов
    CSD86350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
    719Кешбэк 107 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    739Кешбэк 110 баллов
    2N7002V-TPТранзистор
    80Кешбэк 12 баллов
    SSM6N7002KFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
    37Кешбэк 5 баллов
    SSM6N15AFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
    50Кешбэк 7 баллов
    SSM6N35FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
    65Кешбэк 9 баллов
    SSM6N56FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
    69Кешбэк 10 баллов
    SSM6N58NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    82Кешбэк 12 баллов
    SSM6L09FUTE85LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
    87Кешбэк 13 баллов
    SSM6N57NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    109Кешбэк 16 баллов
    SSM6P49NU,LFТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
    122Кешбэк 18 баллов
    DMC2038LVT-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
    18.5Кешбэк 2 балла
    DMN53D0LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    31Кешбэк 4 балла
    DMN63D8LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    31.5Кешбэк 4 балла
    DMN62D0UDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
    35Кешбэк 5 баллов
    2N7002VA-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
    35Кешбэк 5 баллов
    2N7002DWQ-7-FТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    DMC2700UDM-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT26
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN3190LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN62D0UT-7MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523
    39Кешбэк 5 баллов
    DMN63D8LDWQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    39.6Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП