Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMN3190LDW-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7
;
DMN3190LDW-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN3190LDW-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363Все характеристики

Минимальная цена DMN3190LDW-7 при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3190LDW-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7 DIODES INCORPORATED

  • MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363:
  • Основные параметры:
  • Номинальное напряжение на дrain-source (Vds): 30В
  • Номинальный ток проводимости (Ids): 1А
  • Пакет: SOT363
  • Плюсы:
  • Высокая скорость переключения
  • Низкое значение тока утечки
  • Устойчивость к шуму
  • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
  • Требуется дополнительная электроника для управления
  • Низкий коэффициент тепловыделения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
  • Регулирование напряжения
  • Передача сигналов
  • Обеспечение защиты от перегрузки
  • В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Инверторы
  • Системы питания
  • Электронные устройства с высокой частотой работы
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3190LDW-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 1.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    320mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363
  • Base Product Number
    DMN3190

Техническая документация

 DMN3190LDW-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 313 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 10
    32 ₽
  • 50
    21.4 ₽
  • 100
    16.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN3190LDW-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363Все характеристики

Минимальная цена DMN3190LDW-7 при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3190LDW-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7 DIODES INCORPORATED

  • MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363:
  • Основные параметры:
  • Номинальное напряжение на дrain-source (Vds): 30В
  • Номинальный ток проводимости (Ids): 1А
  • Пакет: SOT363
  • Плюсы:
  • Высокая скорость переключения
  • Низкое значение тока утечки
  • Устойчивость к шуму
  • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
  • Требуется дополнительная электроника для управления
  • Низкий коэффициент тепловыделения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
  • Регулирование напряжения
  • Передача сигналов
  • Обеспечение защиты от перегрузки
  • В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Инверторы
  • Системы питания
  • Электронные устройства с высокой частотой работы
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3190LDW-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 1.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    320mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363
  • Base Product Number
    DMN3190

Техническая документация

 DMN3190LDW-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PMGD175XNEXТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP
    102Кешбэк 15 баллов
    BUK9K6R2-40E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
    567Кешбэк 85 баллов
    BUK9K25-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 18.2A 56LFPAK
    333Кешбэк 49 баллов
    NX3008PBKV,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 220MA SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    NX1029X,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
    78Кешбэк 11 баллов
    BUK9M14-40EXMOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33
    200Кешбэк 30 баллов
    2N7002BKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
    52Кешбэк 7 баллов
    BUK9M43-100EXMOSFET N-CH 100V 25A LFPAK33
    269Кешбэк 40 баллов
    2N7002PS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    BSS84AKS,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
    57Кешбэк 8 баллов
    BSS138BKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    59Кешбэк 8 баллов
    PMCXB900UEZТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 600/500MA 6DFN
    120Кешбэк 18 баллов
    BUK7K35-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D
    206Кешбэк 30 баллов
    BUK9M19-60EXMOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33
    226Кешбэк 33 балла
    BUK9M6R6-30EXMOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
    309Кешбэк 46 баллов
    BUK9M23-80EXMOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
    302Кешбэк 45 баллов
    BUK7K6R2-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK
    585Кешбэк 87 баллов
    PMDPB55XP,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
    141Кешбэк 21 балл
    BUK9M120-100EXMOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
    222Кешбэк 33 балла
    BUK9M5R2-30EXMOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
    341Кешбэк 51 балл
    PMDPB95XNE2XТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
    115Кешбэк 17 баллов
    BUK9M52-40EXMOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
    169Кешбэк 25 баллов
    BUK9M10-30EXMOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
    239Кешбэк 35 баллов
    BUK9K29-100E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
    597Кешбэк 89 баллов
    BUK9K5R1-30EXТранзистор: BUK9K5R1-30E - DUAL N-CHANNEL 30
    461Кешбэк 69 баллов
    BUK7K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    426Кешбэк 63 балла
    BUK9M34-100EXMOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
    278Кешбэк 41 балл
    BUK9M35-80EXMOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
    228Кешбэк 34 балла
    BUK9M24-60EXMOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
    224Кешбэк 33 балла
    UM6K33NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    74Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП