Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
DMN3190LDWQ-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN3190LDWQ-7

DMN3190LDWQ-7

DMN3190LDWQ-7
;
DMN3190LDWQ-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN3190LDWQ-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMN3190LDWQ-7 при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3190LDWQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3190LDWQ-7

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • BVDSS: 25В~30В
      • Пакет: SOT363
      • Тип: MOSFET
    • Плюсы:
      • Высокая надежность и стабильность работы
      • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
      • Экономичное использование энергии
    • Минусы:
      • Небольшая мощность по сравнению с транзисторами других типов
      • Могут быть чувствительны к внешним шумам
    • Общее назначение:
      • Переключение электрических цепей
      • Управление потребителями электричества
      • Снижение энергопотребления в устройствах
    • В каких устройствах применяется:
      • Беспроводные устройства
      • Компьютерная периферия
      • Автомобильные системы
      • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3190LDWQ-7

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 1.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    320mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363

Техническая документация

 DMN3190LDWQ-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 5970 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    156 ₽
  • 100
    54 ₽
  • 1000
    42 ₽
  • 6000
    14 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN3190LDWQ-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMN3190LDWQ-7 при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3190LDWQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3190LDWQ-7

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • BVDSS: 25В~30В
      • Пакет: SOT363
      • Тип: MOSFET
    • Плюсы:
      • Высокая надежность и стабильность работы
      • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
      • Экономичное использование энергии
    • Минусы:
      • Небольшая мощность по сравнению с транзисторами других типов
      • Могут быть чувствительны к внешним шумам
    • Общее назначение:
      • Переключение электрических цепей
      • Управление потребителями электричества
      • Снижение энергопотребления в устройствах
    • В каких устройствах применяется:
      • Беспроводные устройства
      • Компьютерная периферия
      • Автомобильные системы
      • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3190LDWQ-7

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 1.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    320mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363

Техническая документация

 DMN3190LDWQ-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN2041UVT-7Транзистор: MOSFET 8V~24V TSOT26
    111Кешбэк 16 баллов
    DMGD7N45SSD-13Транзистор: MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO
    369Кешбэк 55 баллов
    DMNH6022SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
    200Кешбэк 30 баллов
    DMC3061SVTQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
    119Кешбэк 17 баллов
    DMC2710UDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
    63Кешбэк 9 баллов
    DMC3401LDW-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    DMG1016UDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
    76Кешбэк 11 баллов
    DMN3190LDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
    156Кешбэк 23 балла
    DMHC6070LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
    317Кешбэк 47 баллов
    DMC31D5UDA-7BТранзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806
    83Кешбэк 12 баллов
    DMNH6042SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO
    245Кешбэк 36 баллов
    DMT3020LFDBQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
    120Кешбэк 18 баллов
    DMT3020LFDB-7Транзистор: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
    165Кешбэк 24 балла
    DMC3730UVT-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
    91Кешбэк 13 баллов
    DMC2053UVTQ-7Транзистор: MOSFET 8V~24V TSOT26
    143Кешбэк 21 балл
    DMTH6016LSDQ-13Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
    261Кешбэк 39 баллов
    DMC2700UDMQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3
    102Кешбэк 15 баллов
    DMNH6022SSD-13Транзистор: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
    256Кешбэк 38 баллов
    DMN2053UVT-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
    85Кешбэк 12 баллов
    DMC3730UFL3-7Транзистор: MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
    91Кешбэк 13 баллов
    DMC3025LDV-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8
    178Кешбэк 26 баллов
    DMG1023UVQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
    83Кешбэк 12 баллов
    DMTH4011SPD-13Транзистор: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060
    224Кешбэк 33 балла
    DMN2008LFU-7Транзистор: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
    159Кешбэк 23 балла
    DMG1029SVQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
    78Кешбэк 11 баллов
    DMTH6010LPD-13Транзистор: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
    298Кешбэк 44 балла
    ZXMN2088DE6TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
    67Кешбэк 10 баллов
    DMN3401LDW-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363
    65Кешбэк 9 баллов
    DMP2090UFDB-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
    28Кешбэк 4 балла
    DMC2053UVT-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
    106Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП