Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B
;
DMN3900UFA-7B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMN3900UFA-7B при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3900UFA-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства Diodes Incorporated. MOSFET N-CH (N-канальный) с характеристиками 30В и 550mA, упаковка 3DFN.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): ≤ 3.0В
    • Номинальный ток дrain (ID): 550mA
    • Номинальное напряжение между дреном и эмиттером (VDS): 30В
    • Упаковка: 3DFN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий ток утечки
    • Компактная упаковка 3DFN для экономии места
    • Низкое напряжение включения (≤ 3.0В)
  • Минусы:
    • Максимальный ток дrain ограничен 550mA
    • Не рекомендуется использовать при напряжениях выше 30В
    • Требует дополнительных компонентов для работы в некоторых приложениях
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Регулировка тока в цепях питания
    • Защита от перетока и перегрузок
    • Управление нагрузками в различных приборах
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах (телефоны, планшеты)
    • Автомобильной электронике
    • Системах управления светом
    • Промышленных контроллерах
    • Электронных игрушках и развлечениях
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3900UFA-7B

Техническая документация

DMN3900UFA-7B.pdf
pdf. 0 kb
  • 14420 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    52 ₽
  • 100
    20.6 ₽
  • 10000
    17.8 ₽
  • 30000
    15.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DMN3900UFA-7B при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3900UFA-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) производства Diodes Incorporated. MOSFET N-CH (N-канальный) с характеристиками 30В и 550mA, упаковка 3DFN.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): ≤ 3.0В
    • Номинальный ток дrain (ID): 550mA
    • Номинальное напряжение между дреном и эмиттером (VDS): 30В
    • Упаковка: 3DFN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий ток утечки
    • Компактная упаковка 3DFN для экономии места
    • Низкое напряжение включения (≤ 3.0В)
  • Минусы:
    • Максимальный ток дrain ограничен 550mA
    • Не рекомендуется использовать при напряжениях выше 30В
    • Требует дополнительных компонентов для работы в некоторых приложениях
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Регулировка тока в цепях питания
    • Защита от перетока и перегрузок
    • Управление нагрузками в различных приборах
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах (телефоны, планшеты)
    • Автомобильной электронике
    • Системах управления светом
    • Промышленных контроллерах
    • Электронных игрушках и развлечениях
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3900UFA-7B

Техническая документация

DMN3900UFA-7B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории