Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMN53D0LT-7
DMN53D0LT-7

DMN53D0LT-7

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN53D0LT-7
  • Описание:
    DIODEВсе характеристики

Минимальная цена DMN53D0LT-7 при покупке от 1 шт 44.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN53D0LT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN53D0LT-7

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    350mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    46 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-523
  • Корпус
    SOT-523
Техническая документация
 DMN53D0LT-7.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1849 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    44 ₽
  • 100
    19.6 ₽
  • 1000
    12.8 ₽
  • 6000
    7.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN53D0LT-7
  • Описание:
    DIODEВсе характеристики

Минимальная цена DMN53D0LT-7 при покупке от 1 шт 44.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN53D0LT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN53D0LT-7

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    350mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    46 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-523
  • Корпус
    SOT-523
Техническая документация
 DMN53D0LT-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPD35N12S3L24ATMA1MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
    284Кешбэк 42 балла
    SIHH240N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
    516Кешбэк 77 баллов
    BUK6D210-60EXMOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
    73Кешбэк 10 баллов
    NTMYS4D1N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
    433Кешбэк 64 балла
    BUK9Y13-60ELXSINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
    429Кешбэк 64 балла
    NTPF250N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    749Кешбэк 112 баллов
    IAUA250N04S6N007EAUMA1MOSFET_(20V 40V)
    280Кешбэк 42 балла
    NTD5N50N-CHANNEL POWER MOSFET
    95Кешбэк 14 баллов
    SI3429EDV-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
    104Кешбэк 15 баллов
    3SK324UG-TL-HDUAL N-CHANNEL MOSFET
    65Кешбэк 9 баллов
    IST006N04NM6AUMA1MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
    507Кешбэк 76 баллов
    IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
    207Кешбэк 31 балл
    SIRA50ADP-T1-RE3MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
    278Кешбэк 41 балл
    BUK624R5-30CPFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,
    95Кешбэк 14 баллов
    RJK03J5DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    124Кешбэк 18 баллов
    TPHR9203PL1,LQUMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
    278Кешбэк 41 балл
    IPT010N08NM5ATMA1TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
    1 450Кешбэк 217 баллов
    RTF016N05FRATLMOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
    124Кешбэк 18 баллов
    DIT100N10MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
    276Кешбэк 41 балл
    NVHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
    2 510Кешбэк 376 баллов
    SQJQ100E-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
    729Кешбэк 109 баллов
    IXTA86N20X4MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
    2 199Кешбэк 329 баллов
    SQS484CENW-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
    194Кешбэк 29 баллов
    NVMYS011N04CTWGMOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
    249Кешбэк 37 баллов
    AUIRL3705ZLТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
    475Кешбэк 71 балл
    E3M0075120K1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
    3 877Кешбэк 581 балл
    HUFA75639S3ST-F085AMOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
    247Кешбэк 37 баллов
    BSH205G2ARТранзистор: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
    53Кешбэк 7 баллов
    NTMFS6H836NLT1GMOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
    336Кешбэк 50 баллов
    FCPF150N65FMOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
    705Кешбэк 105 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП