Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMN61D8LVT-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13
;
DMN61D8LVT-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN61D8LVT-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26Все характеристики

Минимальная цена DMN61D8LVT-13 при покупке от 1 шт 143.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN61D8LVT-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Diodes Incorporated. Этот транзистор имеет следующие характеристики:

  • Номинальное напряжение питания (VDS(ON)): 60 В
  • Номинальный ток: 0.63 А
  • Пакет: TSOT26

Основные преимущества:

  • Высокая скорость включения и выключения, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой.
  • Малый ток стока при отключенном транзисторе, что снижает энергопотребление.
  • Высокая надежность, благодаря использованию надежных технологий производства.

Недостатки:

  • Высокое внутреннее сопротивление, что может ограничивать максимальный ток.
  • Высокие потери при работе в режиме полупроводника, что может вызвать нагрев.

Общее назначение:

  • Управление электрическими нагрузками в различных приборах и устройствах.
  • Регулировка напряжения и тока.
  • Защита электронных схем от перенапряжений и перетока.

Применяется в:

  • Мобильных устройствах (телефоны, ноутбуки).
  • Автомобильной электронике.
  • Системах управления электродвигателями.
  • Инверторах и преобразователях.
  • Электронных блоках питания.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN61D8LVT-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    630mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 150mA, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    820mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSOT-26
  • Base Product Number
    DMN61

Техническая документация

 DMN61D8LVT-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 2432 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    143 ₽
  • 100
    57 ₽
  • 1000
    39 ₽
  • 5000
    32 ₽
  • 20000
    26.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN61D8LVT-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26Все характеристики

Минимальная цена DMN61D8LVT-13 при покупке от 1 шт 143.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN61D8LVT-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Diodes Incorporated. Этот транзистор имеет следующие характеристики:

  • Номинальное напряжение питания (VDS(ON)): 60 В
  • Номинальный ток: 0.63 А
  • Пакет: TSOT26

Основные преимущества:

  • Высокая скорость включения и выключения, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой.
  • Малый ток стока при отключенном транзисторе, что снижает энергопотребление.
  • Высокая надежность, благодаря использованию надежных технологий производства.

Недостатки:

  • Высокое внутреннее сопротивление, что может ограничивать максимальный ток.
  • Высокие потери при работе в режиме полупроводника, что может вызвать нагрев.

Общее назначение:

  • Управление электрическими нагрузками в различных приборах и устройствах.
  • Регулировка напряжения и тока.
  • Защита электронных схем от перенапряжений и перетока.

Применяется в:

  • Мобильных устройствах (телефоны, ноутбуки).
  • Автомобильной электронике.
  • Системах управления электродвигателями.
  • Инверторах и преобразователях.
  • Электронных блоках питания.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN61D8LVT-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    630mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 150mA, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    820mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSOT-26
  • Base Product Number
    DMN61

Техническая документация

 DMN61D8LVT-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS89141Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
    550Кешбэк 82 балла
    FDS6898AТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
    221Кешбэк 33 балла
    FDMQ86530LТранзистор: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
    774Кешбэк 116 баллов
    DMC2004DWK-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN3035LWN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
    143Кешбэк 21 балл
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    CSD86311W1723Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
    278Кешбэк 41 балл
    SI7949DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    439Кешбэк 65 баллов
    DMN2011UFX-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    232Кешбэк 34 балла
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    739Кешбэк 110 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    NTZD3152PT1GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    2N7002DW-TPТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
    60Кешбэк 9 баллов
    FDC6303NТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
    130Кешбэк 19 баллов
    BSD223PH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
    60Кешбэк 9 баллов
    FDG6303NТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
    64Кешбэк 9 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    CSD87331Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
    207Кешбэк 31 балл
    NTJD4001NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
    78Кешбэк 11 баллов
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    415Кешбэк 62 балла
    FDC6333CТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
    152Кешбэк 22 балла
    FW297-TL-2WТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
    241Кешбэк 36 баллов
    NDS9933AТранзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    195Кешбэк 29 баллов
    DMN67D8LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    IRF7309TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
    204Кешбэк 30 баллов
    SI6913DQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
    396Кешбэк 59 баллов
    FDPC8016SТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
    446Кешбэк 66 баллов
    FDMS3624SТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    215Кешбэк 32 балла
    DMC3028LSDX-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
    187Кешбэк 28 баллов
    BSL308CH6327XTSA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
    145Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП