Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMN61D8LVT-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7
;
DMN61D8LVT-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN61D8LVT-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26Все характеристики

Минимальная цена DMN61D8LVT-7 при покупке от 1 шт 123.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN61D8LVT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN61D8LVT-7

Диод DMN61D8LVT-7:

  • Производитель: DIODES Incorporated
  • Тип: MOSFET 2N-CH
  • Номинальное напряжение: 60В
  • Разрядный ток: 0.63А
  • Объемный термопакет: TSOT26

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: Максимально допустимое напряжение на коллекторе.
  • Разрядный ток: Максимальный разрядный ток, который может проходить через MOSFET.
  • Объемный термопакет: TSOT26 обеспечивает надежную теплоотдачу.

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения.
  • Малый дроссельный потенциал.
  • Устойчивость к шуму.
  • Низкий ток утечки.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при высокой нагрузке.
  • Могут возникать проблемы с электромагнитной совместимостью при неудачном выборе компонентов.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения.
  • Переключение.
  • Защита от обратного тока.

Применяется в:

  • Автомобильных системах.
  • Инверторах.
  • Электронных устройствах питания.
  • Мобильных устройствах.
  • Измерительных приборах.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN61D8LVT-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    630mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 150mA, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    820mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSOT-26
  • Base Product Number
    DMN61

Техническая документация

 DMN61D8LVT-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 2613 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    123 ₽
  • 30
    72 ₽
  • 500
    42 ₽
  • 3000
    32 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN61D8LVT-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26Все характеристики

Минимальная цена DMN61D8LVT-7 при покупке от 1 шт 123.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN61D8LVT-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN61D8LVT-7

Диод DMN61D8LVT-7:

  • Производитель: DIODES Incorporated
  • Тип: MOSFET 2N-CH
  • Номинальное напряжение: 60В
  • Разрядный ток: 0.63А
  • Объемный термопакет: TSOT26

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: Максимально допустимое напряжение на коллекторе.
  • Разрядный ток: Максимальный разрядный ток, который может проходить через MOSFET.
  • Объемный термопакет: TSOT26 обеспечивает надежную теплоотдачу.

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения.
  • Малый дроссельный потенциал.
  • Устойчивость к шуму.
  • Низкий ток утечки.

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при высокой нагрузке.
  • Могут возникать проблемы с электромагнитной совместимостью при неудачном выборе компонентов.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения.
  • Переключение.
  • Защита от обратного тока.

Применяется в:

  • Автомобильных системах.
  • Инверторах.
  • Электронных устройствах питания.
  • Мобильных устройствах.
  • Измерительных приборах.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN61D8LVT-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    630mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 150mA, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    820mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    TSOT-26
  • Base Product Number
    DMN61

Техническая документация

 DMN61D8LVT-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIA921EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
    185Кешбэк 27 баллов
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SIA923EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SI5936DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
    193Кешбэк 28 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    SI4599DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    SI4214DDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
    250Кешбэк 37 баллов
    SI6954ADQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    SIZ340DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
    267Кешбэк 40 баллов
    SI6926ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4564DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
    276Кешбэк 41 балл
    SI4909DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
    291Кешбэк 43 балла
    SI7212DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SI7288DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
    308Кешбэк 46 баллов
    SQJ844AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4931DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
    328Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    371Кешбэк 55 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    376Кешбэк 56 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    396Кешбэк 59 баллов
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7216DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    415Кешбэк 62 балла
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    426Кешбэк 63 балла
    SI4559ADY-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    439Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП