Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN62D0SFD-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7
;
DMN62D0SFD-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN62D0SFD-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN62D0SFD-7 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN62D0SFD-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7 — это полупроводниковый транзистор N-канального типа MOSFET от компании Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VDS): 60 В
  • Размерный ток (ID): 540 мА
  • Пакет: 3DFN

Плюсы:

  • Высокая скорость включения/выключения
  • Малый ток утечки
  • Компактный размер пакета (3DFN)
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям

Минусы:

  • Ограниченная способность обработки тока (540 мА)
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Снижение энергопотерь в системах управления

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Мобильные устройства
  • Игровые консоли
  • Промышленное оборудование
  • Электронные часы и другие низкопотребление устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN62D0SFD-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    540mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.87 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    30.2 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    430mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1212-3
  • Корпус
    3-UDFN
  • Base Product Number
    DMN62

Техническая документация

 DMN62D0SFD-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 118 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 10
    49 ₽
  • 500
    17.4 ₽
  • 3000
    14.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN62D0SFD-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN62D0SFD-7 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN62D0SFD-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7 — это полупроводниковый транзистор N-канального типа MOSFET от компании Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VDS): 60 В
  • Размерный ток (ID): 540 мА
  • Пакет: 3DFN

Плюсы:

  • Высокая скорость включения/выключения
  • Малый ток утечки
  • Компактный размер пакета (3DFN)
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям

Минусы:

  • Ограниченная способность обработки тока (540 мА)
  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Снижение энергопотерь в системах управления

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Мобильные устройства
  • Игровые консоли
  • Промышленное оборудование
  • Электронные часы и другие низкопотребление устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN62D0SFD-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    540mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.87 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    30.2 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    430mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1212-3
  • Корпус
    3-UDFN
  • Base Product Number
    DMN62

Техническая документация

 DMN62D0SFD-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDD6770A24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL ,
    209Кешбэк 31 балл
    HUFA76629D3SMOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
    108Кешбэк 16 баллов
    FDU6N50TUMOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
    103Кешбэк 15 баллов
    FDS3612MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
    151Кешбэк 22 балла
    HUF76419D3STMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    67Кешбэк 10 баллов
    HUF75329D3SMOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
    261Кешбэк 39 баллов
    FQI5N20TUMOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
    77Кешбэк 11 баллов
    HUF75829D3MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
    146Кешбэк 21 балл
    FQU5N60CTUMOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
    118Кешбэк 17 баллов
    FQI7N10LTUMOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
    71Кешбэк 10 баллов
    FQI3N25TUMOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK
    93Кешбэк 13 баллов
    FDU6030BLMOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
    146Кешбэк 21 балл
    FCPF260N65FL1MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
    338Кешбэк 50 баллов
    FQPF5N50CFTUMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    190Кешбэк 28 баллов
    HUF75545S3MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
    252Кешбэк 37 баллов
    FQU4N25TUMOSFET N-CH 250V 3A IPAK
    112Кешбэк 16 баллов
    HUF75842S3STMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    336Кешбэк 50 баллов
    HUFA76609D3STMOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
    118Кешбэк 17 баллов
    FQI47P06TUMOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
    325Кешбэк 48 баллов
    FQD4N50TMMOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
    82Кешбэк 12 баллов
    FQP2N50MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
    119Кешбэк 17 баллов
    HUF75339G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    308Кешбэк 46 баллов
    FQI5P10TUMOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
    91Кешбэк 13 баллов
    IRLI610ATUMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
    43Кешбэк 6 баллов
    FDMS2506SDCMOSFET N-CH 25V 39A/49A DLCOOL56
    325Кешбэк 48 баллов
    FQAF17P10MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
    269Кешбэк 40 баллов
    FQP17N08LMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
    105Кешбэк 15 баллов
    FQP4N25MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
    80Кешбэк 12 баллов
    FQI2N90TUMOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
    151Кешбэк 22 балла
    SFM9014TFMOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223-4
    146Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП