Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMN62D0UT-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13
;
DMN62D0UT-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN62D0UT-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523Все характеристики

Минимальная цена DMN62D0UT-13 при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN62D0UT-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дренаже (VDS(on)): 60В
    • Размер тока (ID(on)): 0.32А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT523
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость в установке благодаря компактному пакету SOT523
    • Низкий ток срабатывания (VGS(th)) обеспечивает высокую скорость включения и выключения
    • Высокая надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Ограниченный ток пропускания (0.32А)
    • Максимальное напряжение на дренаже ограничено 60В
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях мощности, регуляторах напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Переходники на ноутбуках и планшетах
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN62D0UT-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    320mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 50mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250A
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    32 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    230mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-523
  • Корпус
    SOT-523
  • Base Product Number
    DMN62

Техническая документация

 DMN62D0UT-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 4047 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    56 ₽
  • 100
    21 ₽
  • 1000
    13.8 ₽
  • 5000
    10.6 ₽
  • 20000
    8.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN62D0UT-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523Все характеристики

Минимальная цена DMN62D0UT-13 при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN62D0UT-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дренаже (VDS(on)): 60В
    • Размер тока (ID(on)): 0.32А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT523
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость в установке благодаря компактному пакету SOT523
    • Низкий ток срабатывания (VGS(th)) обеспечивает высокую скорость включения и выключения
    • Высокая надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Ограниченный ток пропускания (0.32А)
    • Максимальное напряжение на дренаже ограничено 60В
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях мощности, регуляторах напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Переходники на ноутбуках и планшетах
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN62D0UT-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    320mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 50mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250A
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    32 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    230mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-523
  • Корпус
    SOT-523
  • Base Product Number
    DMN62

Техническая документация

 DMN62D0UT-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4931DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
    424Кешбэк 63 балла
    QH8MA4TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
    261Кешбэк 39 баллов
    BUK7K5R1-30E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
    319Кешбэк 47 баллов
    SI9933CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
    179Кешбэк 26 баллов
    FC8J33040LТранзистор: MOSFET 2N-CH 33V 5A WMINI8-F1
    231Кешбэк 34 балла
    IRF7316GTRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
    139Кешбэк 20 баллов
    TC7920K6-GТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
    456Кешбэк 68 баллов
    ECH8652-TL-HТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8
    112Кешбэк 16 баллов
    BSL308PEH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
    106Кешбэк 15 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    376Кешбэк 56 баллов
    ZXMP6A17DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
    308Кешбэк 46 баллов
    IPG20N10S4L22AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
    380Кешбэк 57 баллов
    AO9926CТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
    74Кешбэк 11 баллов
    FDS89141Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
    550Кешбэк 82 балла
    FDS6898AТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
    221Кешбэк 33 балла
    FDMQ86530LТранзистор: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
    774Кешбэк 116 баллов
    DMC2004DWK-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN3035LWN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
    143Кешбэк 21 балл
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    CSD86311W1723Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
    278Кешбэк 41 балл
    SI7949DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    439Кешбэк 65 баллов
    DMN2011UFX-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    232Кешбэк 34 балла
    SI1926DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
    122Кешбэк 18 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    739Кешбэк 110 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    NTZD3152PT1GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    2N7002DW-TPТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
    60Кешбэк 9 баллов
    FDC6303NТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
    130Кешбэк 19 баллов
    BSD223PH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
    60Кешбэк 9 баллов
    FDG6303NТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
    64Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП