DMN62D1LFDQ-7

DMN62D1LFDQ-7 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Это ненасыщенный полупроводниковый транзистор с низким напряжением гатода.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение блокировки V_GS(TH): 2.5 В
• Номинальная мощность P_D: 60 В
• Максимальный ток нагрузки I_D: 400 mA
• Пакет: 3DFN T&R (3-lead, thin, reflow)

• Плюсы:
• Низкое напряжение гатода обеспечивает высокую скорость включения и выключения
• Маленький размер пакета позволяет эффективно использовать пространство на плате
• Высокая надежность и стабильность работы

• Минусы:
• Только для ненасыщенных приложений из-за низкого напряжения блокировки
• Максимальный ток нагрузки ограничен 400 mA

Общее назначение: DMN62D1LFDQ-7 используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как питания, преобразователи, драйверы двигателей и другие приборы, требующие управляемого тока.

В каких устройствах применяется:

• Питание портовых устройств
• Преобразователи напряжения
• Драйверы двигателей
• Регуляторы напряжения
• Электронные системы управления