Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMN63D8LDWQ-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7
;
DMN63D8LDWQ-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN63D8LDWQ-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363Все характеристики

Минимальная цена DMN63D8LDWQ-7 при покупке от 1 шт 39.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN63D8LDWQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN63D8LDWQ-7

Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 2N-CH указывает на низкую пороговую напряжённость, обычно около 2-3 В.
    • Номинальное напряжение между собранными полюсами (VDS): 30В.
    • Номинальная токовая характеристика (ID): 0.22А.
    • Форм-фактор: SOT363.
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения.
    • Низкий сопротивление при включении.
    • Устойчивость к перегреву.
    • Малый размер и легкость в установке.
  • Минусы:
    • Риск повреждения при работе с высокими напряжениями.
    • Не подходит для больших токов.
    • Требуется дополнительное охлаждение при длительной работе.
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях.
    • Изменение напряжения.
    • Амплитудная модуляция.
    • Переключение сигналов.
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства.
    • Автомобильные системы.
    • Инверторы питания.
    • Промышленное оборудование.
    • Компьютерные платы.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN63D8LDWQ-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    220mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8Ohm @ 250mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.87nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363
  • Base Product Number
    DMN63

Техническая документация

 DMN63D8LDWQ-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 4575 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    39.6 ₽
  • 25
    23 ₽
  • 500
    11 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN63D8LDWQ-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363Все характеристики

Минимальная цена DMN63D8LDWQ-7 при покупке от 1 шт 39.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN63D8LDWQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN63D8LDWQ-7

Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 2N-CH указывает на низкую пороговую напряжённость, обычно около 2-3 В.
    • Номинальное напряжение между собранными полюсами (VDS): 30В.
    • Номинальная токовая характеристика (ID): 0.22А.
    • Форм-фактор: SOT363.
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения.
    • Низкий сопротивление при включении.
    • Устойчивость к перегреву.
    • Малый размер и легкость в установке.
  • Минусы:
    • Риск повреждения при работе с высокими напряжениями.
    • Не подходит для больших токов.
    • Требуется дополнительное охлаждение при длительной работе.
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях.
    • Изменение напряжения.
    • Амплитудная модуляция.
    • Переключение сигналов.
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства.
    • Автомобильные системы.
    • Инверторы питания.
    • Промышленное оборудование.
    • Компьютерные платы.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN63D8LDWQ-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    220mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8Ohm @ 250mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.87nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363
  • Base Product Number
    DMN63

Техническая документация

 DMN63D8LDWQ-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZXMP6A18DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
    389Кешбэк 58 баллов
    DMN63D8LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    31.5Кешбэк 4 балла
    ZXMN6A09DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
    498Кешбэк 74 балла
    ZXMP6A16DN8QTAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
    378Кешбэк 56 баллов
    DMN3033LSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    152Кешбэк 22 балла
    DMN3190LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN3135LVT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
    104Кешбэк 15 баллов
    ZXMN3A06DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    322Кешбэк 48 баллов
    DMC3016LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
    148Кешбэк 22 балла
    ZXMC4559DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
    321Кешбэк 48 баллов
    DMC4029SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    ZXMP3A16DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
    378Кешбэк 56 баллов
    ZXMC3A17DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    267Кешбэк 40 баллов
    ZXMN6A25DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
    356Кешбэк 53 балла
    DI9952TMOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
    291Кешбэк 43 балла
    DMC4028SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
    256Кешбэк 38 баллов
    DMC3028LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
    148Кешбэк 22 балла
    DMP4050SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
    264Кешбэк 39 баллов
    ZXMN2AMCTAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
    282Кешбэк 42 балла
    PMDXB1200UPEZТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
    44.5Кешбэк 6 баллов
    AO4882Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    AO4629Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
    128Кешбэк 19 баллов
    AON7804Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
    139Кешбэк 20 баллов
    AO6604Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
    145Кешбэк 21 балл
    AO4818BТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    222Кешбэк 33 балла
    AON6816Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17A DFN5X6
    285Кешбэк 42 балла
    AON7611Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN
    159Кешбэк 23 балла
    AO4803AТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
    200Кешбэк 30 баллов
    AO4614BТранзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    165Кешбэк 24 балла
    AO4842Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC
    182Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП