DMN66D0LDW-7 от 33 ₽ доступно 5320 шт Diodes Incorporated

DMN66D0LDW-7

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
DMN66D0LDW-7
Описание:
Транзистор

Минимальная цена DMN66D0LDW-7 при покупке от 1 шт 170.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN66D0LDW-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7 — это транзистор, выпущенный компанией Diodes Incorporated. Вот основные характеристики и особенности:

Тип транзистора: Н-канальный полупроводниковый транзистор типа MOSFET (MOSFET N-Channel).
Питание: Работает с напряжением питания от 3 до 12 В.
Максимальная токовая способность: Максимальный ток приключенного состояния (ID) составляет 4 А.
Сопротивление: Сопротивление резистора нагрузки (RDS(on)) составляет около 55 мО.
Температурный диапазон: Рабочая температура от -40°C до +125°C.

Плюсы:

Высокая скорость включения и выключения.

Низкое сопротивление резистора нагрузки (RDS(on)), что снижает потери энергии.

Маленький размер и легкость использования в компактных устройствах.

Минусы:

Требует дополнительного охлаждения при высоких токах.

Возможны проблемы с управлением при высоких температурах.

Необходима защита от перегрузок и скачков напряжения.

Общее назначение: DMN66D0LDW-7 используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как:

Автомобильные системы.

Мощные источники питания.

Электронные устройства бытовой техники.

Промышленное оборудование.

Техническая документация

DMN66D0LDW-7.pdf
pdf. 0 kb

5320 шт
3-6 недель

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
DMN66D0LDW-7
Описание:
Транзистор

Описание DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7 — это транзистор, выпущенный компанией Diodes Incorporated. Вот основные характеристики и особенности:

Тип транзистора: Н-канальный полупроводниковый транзистор типа MOSFET (MOSFET N-Channel).
Питание: Работает с напряжением питания от 3 до 12 В.
Максимальная токовая способность: Максимальный ток приключенного состояния (ID) составляет 4 А.
Сопротивление: Сопротивление резистора нагрузки (RDS(on)) составляет около 55 мО.
Температурный диапазон: Рабочая температура от -40°C до +125°C.

Плюсы:

Техническая документация

DMN66D0LDW-7.pdf
pdf. 0 kb

DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Описание DMN66D0LDW-7

Техническая документация

Описание DMN66D0LDW-7

Техническая документация

Похожие товары

Похожие категории