Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMN90H8D5HCT
  • В избранное
  • В сравнение
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN90H8D5HCT
  • Описание:
    MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена DMN90H8D5HCT при покупке от 1 шт 174.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN90H8D5HCT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN90H8D5HCT

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    470 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    DMN90

Техническая документация

 DMN90H8D5HCT.pdf
pdf. 0 kb
  • 56 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    174 ₽
  • 3
    157 ₽
  • 10
    137 ₽
  • 50
    124 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN90H8D5HCT
  • Описание:
    MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена DMN90H8D5HCT при покупке от 1 шт 174.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN90H8D5HCT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN90H8D5HCT

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    470 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    DMN90

Техническая документация

 DMN90H8D5HCT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NIF9N05CLT3G-SY2.6 A, 52 V, N-CHANNEL, LOGIC LE
    115Кешбэк 17 баллов
    NVTFS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    324Кешбэк 48 баллов
    TSM2306CX RFGMOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
    136Кешбэк 20 баллов
    G86N06KN60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
    283Кешбэк 42 балла
    PSMN8R7-100YSFXMOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
    742Кешбэк 111 баллов
    IPD60R1K5CEAUMA1MOSFET N-CH 650V 5A TO252
    166Кешбэк 24 балла
    SCT4026DRC15750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
    3 421Кешбэк 513 баллов
    RJK0358DSP-WS#J0N-CHANNEL POWER MOSFET
    165Кешбэк 24 балла
    SIR826BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
    340Кешбэк 51 балл
    AOB125A60LMOSFET N-CH 600V 28A TO263
    978Кешбэк 146 баллов
    NDS0610-GFET -60V 10.0 MOHM SOT23
    59Кешбэк 8 баллов
    FCP165N65S3MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    747Кешбэк 112 баллов
    AOK160A60MOSFET N-CH 600V 24A TO247
    967Кешбэк 145 баллов
    DMT6013LSS-13MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
    153Кешбэк 22 балла
    BSZ0909LSATMA1MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
    173Кешбэк 25 баллов
    SIHA24N65EF-E3MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
    1 004Кешбэк 150 баллов
    XP233N0501TR-GMOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
    38Кешбэк 5 баллов
    C3M0120065D650V 120M SIC MOSFET
    1 663Кешбэк 249 баллов
    IRFSL4127PBFMOSFET N-CH 200V 72A TO262
    1 137Кешбэк 170 баллов
    SSM6J50TU,LFMOSFET P-CH 20V 2.5A UF6
    91Кешбэк 13 баллов
    2SJ606-ZK-E1-AYP-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET
    644Кешбэк 96 баллов
    NVMYS025N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    SPS03N60C3AKMA1MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3-11
    122Кешбэк 18 баллов
    UF3C065080K3SMOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
    1 775Кешбэк 266 баллов
    SIHG120N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
    1 010Кешбэк 151 балл
    SIHG25N60EFL-GE3MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
    1 276Кешбэк 191 балл
    LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
    2 180Кешбэк 327 баллов
    UPA2718AGR-E1-ATMOSFET P-CH 30V 13A 8PSOP
    276Кешбэк 41 балл
    AONS62614TMOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN
    579Кешбэк 86 баллов
    NVB150N65S3FMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
    797Кешбэк 119 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП