Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMNH10H028SCT
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMNH10H028SCT
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 60A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена DMNH10H028SCT при покупке от 1 шт 308.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMNH10H028SCT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMNH10H028SCT

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31.9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1942 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    DMNH10
Техническая документация
 DMNH10H028SCT.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 100 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    308 ₽
  • 10
    215 ₽
  • 50
    175 ₽
  • 100
    161 ₽
  • 250
    142 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMNH10H028SCT
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 60A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена DMNH10H028SCT при покупке от 1 шт 308.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMNH10H028SCT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMNH10H028SCT

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31.9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1942 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    DMNH10
Техническая документация
 DMNH10H028SCT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AOD2610EMOSFET N-CH 60V 46A TO252
    77Кешбэк 11 баллов
    IRFRC20TRLPBF-BE3MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    294Кешбэк 44 балла
    NVMJS2D5N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
    445Кешбэк 66 баллов
    SSM3K7002KFU,LFMOSFET N-CH 60V 400MA USM
    31Кешбэк 4 балла
    SIHG11N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
    566Кешбэк 84 балла
    SQJ407EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    FDPF2D3N10CMOSFET N-CH 100V 222A TO220F
    1 237Кешбэк 185 баллов
    ISC017N04NM5ATMA1MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
    314Кешбэк 47 баллов
    SSM3J374R,LFMOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
    64Кешбэк 9 баллов
    SI2102-TPMOSFET N-CH 20V 2.1A SOT323
    77Кешбэк 11 баллов
    CSD18511KCSMOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
    401Кешбэк 60 баллов
    IPDD60R045CFD7XTMA1MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
    1 328Кешбэк 199 баллов
    DMTH6009LPS-13MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
    193Кешбэк 28 баллов
    IXTY8N70X2MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
    713Кешбэк 106 баллов
    IXTY1R4N120PHVMOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
    923Кешбэк 138 баллов
    TPH2R408QM,L1QMOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
    442Кешбэк 66 баллов
    DMN53D0LQ-13MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    PSMNR51-25YLHXMOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
    827Кешбэк 124 балла
    SIHA2N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
    331Кешбэк 49 баллов
    RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
    400Кешбэк 60 баллов
    FDFMA2P029Z-F106MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
    197Кешбэк 29 баллов
    NVMFS4C302NT1GMOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN
    502Кешбэк 75 баллов
    SIR450DP-T1-RE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
    327Кешбэк 49 баллов
    NTMYS2D9N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 27A/110A 4LFPAK
    536Кешбэк 80 баллов
    UF3C120040K3SSICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
    4 259Кешбэк 638 баллов
    TBB1012MMTL-HТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    84Кешбэк 12 баллов
    NVTFS6H850NLWFTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    378Кешбэк 56 баллов
    TSM4NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
    184Кешбэк 27 баллов
    SQJA46EP-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    286Кешбэк 42 балла
    TPH4R50ANH1,LQMOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
    341Кешбэк 51 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП