Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMNH4011SK3Q-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13
;
DMNH4011SK3Q-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INC.
  • Артикул:
    DMNH4011SK3Q-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 50A TO252Все характеристики

Минимальная цена DMNH4011SK3Q-13 при покупке от 1 шт 308.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMNH4011SK3Q-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13 DIODES INC. MOSFET N-ЧЕРТЯНОЕ ПОЛУЧАСТОЧЕНИЕ 40В 50А TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: N-чертяное полупроводниковое транзистор (MOSFET)
    • Номинальный напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 50А
    • Компактный корпус: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый сопротивление при низком токе
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малые размеры и легкий монтаж
  • Минусы:
    • Высокие потери при высоких напряжениях
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких токах
    • Ограниченная длина времени работы при максимальных нагрузках
  • Общее назначение:
    • Блокировки и переключения высоких токов
    • Регулирование напряжений
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Переходники питания
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики DMNH4011SK3Q-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1405 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    DMNH4011

Техническая документация

 DMNH4011SK3Q-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 2410 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    308 ₽
  • 10
    272 ₽
  • 100
    261 ₽
  • 500
    250 ₽
  • 1000
    220 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INC.
  • Артикул:
    DMNH4011SK3Q-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 50A TO252Все характеристики

Минимальная цена DMNH4011SK3Q-13 при покупке от 1 шт 308.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMNH4011SK3Q-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13 DIODES INC. MOSFET N-ЧЕРТЯНОЕ ПОЛУЧАСТОЧЕНИЕ 40В 50А TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: N-чертяное полупроводниковое транзистор (MOSFET)
    • Номинальный напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 50А
    • Компактный корпус: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый сопротивление при низком токе
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малые размеры и легкий монтаж
  • Минусы:
    • Высокие потери при высоких напряжениях
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких токах
    • Ограниченная длина времени работы при максимальных нагрузках
  • Общее назначение:
    • Блокировки и переключения высоких токов
    • Регулирование напряжений
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Переходники питания
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики DMNH4011SK3Q-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1405 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    DMNH4011

Техническая документация

 DMNH4011SK3Q-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF8301MTRPBFMOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
    675Кешбэк 101 балл
    IRFS4115TRL7PPMOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
    697Кешбэк 104 балла
    IPW65R190C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
    732Кешбэк 109 баллов
    IRF2804STRL7PPMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    743Кешбэк 111 баллов
    SPW20N60CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
    743Кешбэк 111 баллов
    IRF6715MTRPBFMOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    747Кешбэк 112 баллов
    IPA60R199CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
    751Кешбэк 112 баллов
    SPA11N60C3XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    751Кешбэк 112 баллов
    IPB120P04P4L03ATMA1MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
    782Кешбэк 117 баллов
    IPL60R125C7AUMA1MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
    784Кешбэк 117 баллов
    SPA20N60C3XKSA1MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31
    804Кешбэк 120 баллов
    IRFP4127PBFMOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
    813Кешбэк 121 балл
    AUIRF6215STRLТранзистор: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
    815Кешбэк 122 балла
    SPA20N60CFDXKSA1MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-FP
    835Кешбэк 125 баллов
    IPP65R190C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
    837Кешбэк 125 баллов
    IRL60SL216MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
    842Кешбэк 126 баллов
    IRFS3006TRLPBFMOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
    846Кешбэк 126 баллов
    IPP100N08S2L07AKSA1MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
    853Кешбэк 127 баллов
    IPP80N08S406AKSA1MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
    859Кешбэк 128 баллов
    IPB180P04P4L02ATMA1MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
    870Кешбэк 130 баллов
    AUIRFS3306TRLMOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    881Кешбэк 132 балла
    IRFS7734TRL7PPMOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
    901Кешбэк 135 баллов
    IPZ65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
    916Кешбэк 137 баллов
    IPB011N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    932Кешбэк 139 баллов
    IPP60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
    951Кешбэк 142 балла
    IPB180N10S403ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    951Кешбэк 142 балла
    IPA60R165CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP
    993Кешбэк 148 баллов
    IRFP4004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    1 011Кешбэк 151 балл
    AUIRFS4310ZTRLТранзистор: AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL
    1 022Кешбэк 153 балла
    AUIRF2804STRLMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    1 118Кешбэк 167 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП