Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
DMP2200UFCL-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMP2200UFCL-7

DMP2200UFCL-7

DMP2200UFCL-7
;
DMP2200UFCL-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP2200UFCL-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 8V~24V U-DFN1616-6Все характеристики

Минимальная цена DMP2200UFCL-7 при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP2200UFCL-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP2200UFCL-7

DMP2200UFCL-7 - это P-канальный MOSFET транзистор, разработанный компанией Diodes Incorporated. Он предназначен для использования в маломощных и портативных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: P-канальный MOSFET.
    • Диапазон напряжения сток-исток (VDS): От -8V до -24V (обычно указывается максимальное абсолютное значение, поэтому -24V).
    • Напряжение затвор-исток (VGS): Указание "8V~24V" в данном контексте, вероятно, относится к диапазону рабочих напряжений, а не к VGS. Для P-канальных MOSFET VGS обычно находится в диапазоне ±8V или ±12V. Для точного значения необходимо обратиться к даташиту. Однако, если это напряжение пробоя VGS, то оно будет выше. Предполагая, что это максимальное рабочее напряжение, то VDS = -24V.
    • Корпус: U-DFN1616-6 (Ultra-small DFN, размер 1.6x1.6 мм, 6 выводов). Этот корпус указывает на компактность и низкий профиль.
    • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): Один из ключевых параметров MOSFET, который определяет потери мощности. Без конкретного значения из даташита сложно сказать, но для P-канальных MOSFET в таком корпусе оно обычно находится в диапазоне десятков или сотен миллиОм.
    • Ток стока (ID): Максимальный ток, который может протекать через транзистор. Зависит от RDS(on) и тепловых характеристик корпуса. Для такого компактного корпуса обычно не превышает нескольких ампер.
  • Плюсы:
    • Компактный размер: Корпус U-DFN1616-6 позволяет использовать транзистор в устройствах с ограниченным пространством.
    • Низкое напряжение управления: P-канальные MOSFET часто хорошо работают с низкими напряжениями затвор-исток, что удобно для управления от микроконтроллеров.
    • Низкое сопротивление открытого канала (предположительно): Современные MOSFET в компактных корпусах стремятся к минимизации RDS(on) для снижения потерь.
    • Высокая эффективность: Благодаря низким потерям мощности.
    • Подходит для импульсных применений: MOSFET хорошо подходят для работы в ключевом режиме.
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность: Из-за компактного корпуса и, как следствие, ограниченных возможностей рассеивания тепла, максимальная коммутируемая мощность будет ограничена.
    • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, требует осторожного обращения.
    • Параметры P-канальных MOSFET часто хуже, чем у N-канальных (более высокое RDS(on) для того же размера кристалла).
  • Общее назначение:
    • DMP2200UFCL-7 предназначен для использования в качестве электронного ключа или регулятора мощности в низковольтных и маломощных цепях. Он идеально подходит для приложений, где важны компактность, низкое энергопотребление и эффективное управление питанием.
  • В каких устройствах применяется:
    • Портативная электроника: Смартфоны, планшеты, носимые устройства (умные часы, фитнес-трекеры).
    • Аккумуляторные устройства: Управление питанием от батарей, защита от перезаряда/переразряда.
    • Светодиодное освещение: Драйверы светодиодов.
    • Источники питания: DC/DC преобразователи, управление питанием периферийных устройств.
    • Бытовая электроника: Небольшие бытовые приборы, игрушки.
    • Автомобильная электроника (низковольтные цепи): Например, управление подсветкой или небольшими моторами.
Выбрано: Показать

Характеристики DMP2200UFCL-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    184pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    660mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-UFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    U-DFN1616-6
  • Base Product Number
    DMP2200

Техническая документация

 DMP2200UFCL-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 2122 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    100 ₽
  • 100
    34.4 ₽
  • 1000
    28 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP2200UFCL-7
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 8V~24V U-DFN1616-6Все характеристики

Минимальная цена DMP2200UFCL-7 при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP2200UFCL-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP2200UFCL-7

DMP2200UFCL-7 - это P-канальный MOSFET транзистор, разработанный компанией Diodes Incorporated. Он предназначен для использования в маломощных и портативных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: P-канальный MOSFET.
    • Диапазон напряжения сток-исток (VDS): От -8V до -24V (обычно указывается максимальное абсолютное значение, поэтому -24V).
    • Напряжение затвор-исток (VGS): Указание "8V~24V" в данном контексте, вероятно, относится к диапазону рабочих напряжений, а не к VGS. Для P-канальных MOSFET VGS обычно находится в диапазоне ±8V или ±12V. Для точного значения необходимо обратиться к даташиту. Однако, если это напряжение пробоя VGS, то оно будет выше. Предполагая, что это максимальное рабочее напряжение, то VDS = -24V.
    • Корпус: U-DFN1616-6 (Ultra-small DFN, размер 1.6x1.6 мм, 6 выводов). Этот корпус указывает на компактность и низкий профиль.
    • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): Один из ключевых параметров MOSFET, который определяет потери мощности. Без конкретного значения из даташита сложно сказать, но для P-канальных MOSFET в таком корпусе оно обычно находится в диапазоне десятков или сотен миллиОм.
    • Ток стока (ID): Максимальный ток, который может протекать через транзистор. Зависит от RDS(on) и тепловых характеристик корпуса. Для такого компактного корпуса обычно не превышает нескольких ампер.
  • Плюсы:
    • Компактный размер: Корпус U-DFN1616-6 позволяет использовать транзистор в устройствах с ограниченным пространством.
    • Низкое напряжение управления: P-канальные MOSFET часто хорошо работают с низкими напряжениями затвор-исток, что удобно для управления от микроконтроллеров.
    • Низкое сопротивление открытого канала (предположительно): Современные MOSFET в компактных корпусах стремятся к минимизации RDS(on) для снижения потерь.
    • Высокая эффективность: Благодаря низким потерям мощности.
    • Подходит для импульсных применений: MOSFET хорошо подходят для работы в ключевом режиме.
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность: Из-за компактного корпуса и, как следствие, ограниченных возможностей рассеивания тепла, максимальная коммутируемая мощность будет ограничена.
    • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, требует осторожного обращения.
    • Параметры P-канальных MOSFET часто хуже, чем у N-канальных (более высокое RDS(on) для того же размера кристалла).
  • Общее назначение:
    • DMP2200UFCL-7 предназначен для использования в качестве электронного ключа или регулятора мощности в низковольтных и маломощных цепях. Он идеально подходит для приложений, где важны компактность, низкое энергопотребление и эффективное управление питанием.
  • В каких устройствах применяется:
    • Портативная электроника: Смартфоны, планшеты, носимые устройства (умные часы, фитнес-трекеры).
    • Аккумуляторные устройства: Управление питанием от батарей, защита от перезаряда/переразряда.
    • Светодиодное освещение: Драйверы светодиодов.
    • Источники питания: DC/DC преобразователи, управление питанием периферийных устройств.
    • Бытовая электроника: Небольшие бытовые приборы, игрушки.
    • Автомобильная электроника (низковольтные цепи): Например, управление подсветкой или небольшими моторами.
Выбрано: Показать

Характеристики DMP2200UFCL-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    184pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    660mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-UFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    U-DFN1616-6
  • Base Product Number
    DMP2200

Техническая документация

 DMP2200UFCL-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN2041UVT-7Транзистор: MOSFET 8V~24V TSOT26
    111Кешбэк 16 баллов
    DMGD7N45SSD-13Транзистор: MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO
    369Кешбэк 55 баллов
    DMNH6022SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
    200Кешбэк 30 баллов
    DMC3061SVTQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
    119Кешбэк 17 баллов
    DMC2710UDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
    63Кешбэк 9 баллов
    DMC3401LDW-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    DMG1016UDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
    76Кешбэк 11 баллов
    DMN3190LDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
    156Кешбэк 23 балла
    DMHC6070LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
    317Кешбэк 47 баллов
    DMC31D5UDA-7BТранзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806
    83Кешбэк 12 баллов
    DMNH6042SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO
    245Кешбэк 36 баллов
    DMT3020LFDBQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
    120Кешбэк 18 баллов
    DMT3020LFDB-7Транзистор: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
    165Кешбэк 24 балла
    DMC3730UVT-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
    91Кешбэк 13 баллов
    DMC2053UVTQ-7Транзистор: MOSFET 8V~24V TSOT26
    143Кешбэк 21 балл
    DMTH6016LSDQ-13Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
    261Кешбэк 39 баллов
    DMC2700UDMQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3
    102Кешбэк 15 баллов
    DMNH6022SSD-13Транзистор: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
    256Кешбэк 38 баллов
    DMN2053UVT-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
    85Кешбэк 12 баллов
    DMC3730UFL3-7Транзистор: MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
    91Кешбэк 13 баллов
    DMC3025LDV-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8
    178Кешбэк 26 баллов
    DMG1023UVQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
    83Кешбэк 12 баллов
    DMTH4011SPD-13Транзистор: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060
    224Кешбэк 33 балла
    DMN2008LFU-7Транзистор: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
    159Кешбэк 23 балла
    DMG1029SVQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
    78Кешбэк 11 баллов
    DMTH6010LPD-13Транзистор: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
    298Кешбэк 44 балла
    ZXMN2088DE6TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
    67Кешбэк 10 баллов
    DMN3401LDW-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363
    65Кешбэк 9 баллов
    DMP2090UFDB-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
    28Кешбэк 4 балла
    DMC2053UVT-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
    106Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП