Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
DMP4025LSDQ-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMP4025LSDQ-13

DMP4025LSDQ-13

DMP4025LSDQ-13
;
DMP4025LSDQ-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP4025LSDQ-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2Все характеристики

Минимальная цена DMP4025LSDQ-13 при покупке от 1 шт 298.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP4025LSDQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP4025LSDQ-13

Маркировка DMP4025LSDQ-13:

  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Тип: MOSFET
  • BVDSS: 31В~40В
  • Комплектация: SO-8
  • Параметр T&R: 2

Основные параметры:

  • BVDSS (максимальное напряжение между дреном и сгущением): 31В~40В
  • Размеры корпуса: SO-8
  • Параметр T&R (температура включения): 2

Плюсы:

  • Высокое напряжение: Максимальное напряжение между дреном и сгущением составляет 31В~40В, что делает этот транзистор подходящим для высоковольтных приложений.
  • Надежность: Производитель Diodes Incorporated известен качественной продукцией.
  • Малый размер корпуса: Сочетание небольшого корпуса SO-8 с высокой надежностью обеспечивает эффективное использование пространства на плате.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Для высокопроизводительных приложений может быть недостаточно мощным.
  • Температурный диапазон: Параметр T&R 2 указывает на то, что транзистор может работать только в ограниченном температурном диапазоне.

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения: Используется для управления напряжением в различных электронных устройствах.
  • Изоляция: Может использоваться для изоляции сигналов или устройств от высоких напряжений.
  • Управление нагрузками: Подходит для управления электрическими нагрузками, такими как лампы или электродвигатели.

Применение:

  • Автомобильная электроника: Для управления высоковольтными компонентами.
  • Системы питания: В качестве регулятора напряжения.
  • Электротехнические устройства: Для управления нагрузками и обеспечения изоляции.
Выбрано: Показать

Характеристики DMP4025LSDQ-13

  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.8A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1640pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    1.25W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO

Техническая документация

 DMP4025LSDQ-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 1290 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    298 ₽
  • 10
    226 ₽
  • 100
    157 ₽
  • 1000
    119 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP4025LSDQ-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2Все характеристики

Минимальная цена DMP4025LSDQ-13 при покупке от 1 шт 298.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP4025LSDQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP4025LSDQ-13

Маркировка DMP4025LSDQ-13:

  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Тип: MOSFET
  • BVDSS: 31В~40В
  • Комплектация: SO-8
  • Параметр T&R: 2

Основные параметры:

  • BVDSS (максимальное напряжение между дреном и сгущением): 31В~40В
  • Размеры корпуса: SO-8
  • Параметр T&R (температура включения): 2

Плюсы:

  • Высокое напряжение: Максимальное напряжение между дреном и сгущением составляет 31В~40В, что делает этот транзистор подходящим для высоковольтных приложений.
  • Надежность: Производитель Diodes Incorporated известен качественной продукцией.
  • Малый размер корпуса: Сочетание небольшого корпуса SO-8 с высокой надежностью обеспечивает эффективное использование пространства на плате.

Минусы:

  • Ограниченная мощность: Для высокопроизводительных приложений может быть недостаточно мощным.
  • Температурный диапазон: Параметр T&R 2 указывает на то, что транзистор может работать только в ограниченном температурном диапазоне.

Общее назначение:

  • Регулировка напряжения: Используется для управления напряжением в различных электронных устройствах.
  • Изоляция: Может использоваться для изоляции сигналов или устройств от высоких напряжений.
  • Управление нагрузками: Подходит для управления электрическими нагрузками, такими как лампы или электродвигатели.

Применение:

  • Автомобильная электроника: Для управления высоковольтными компонентами.
  • Системы питания: В качестве регулятора напряжения.
  • Электротехнические устройства: Для управления нагрузками и обеспечения изоляции.
Выбрано: Показать

Характеристики DMP4025LSDQ-13

  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.8A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1640pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    1.25W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO

Техническая документация

 DMP4025LSDQ-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FS50KM-2#E52DISCRETE / POWER MOSFET
    387Кешбэк 58 баллов
    2SK2059L-E3A, 600V, N-CHANNEL MOSFET
    445Кешбэк 66 баллов
    2SK1626-E5A, 450V, N-CHANNEL MOSFET
    419Кешбэк 62 балла
    FS50KM-06-AX#E51DISCRETE / POWER MOSFET
    387Кешбэк 58 баллов
    2SK2725-E5A, 500V, N-CHANNEL MOSFET
    962Кешбэк 144 балла
    2N7002KDWТранзистор: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
    43Кешбэк 6 баллов
    SI1965DH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
    141Кешбэк 21 балл
    SI1967DH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SI1902DL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
    132Кешбэк 19 баллов
    SQJ260EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    330Кешбэк 49 баллов
    SIZ980BDT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
    356Кешбэк 53 балла
    SIZ240DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
    411Кешбэк 61 балл
    SQ1539EH-T1_GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
    69Кешбэк 10 баллов
    SQJ974EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    291Кешбэк 43 балла
    SIZ342DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
    270Кешбэк 40 баллов
    SI1036X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
    96Кешбэк 14 баллов
    SIZ322DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
    200Кешбэк 30 баллов
    SQ4940AEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
    189Кешбэк 28 баллов
    GE17042CCA3Транзистор: 1700V 425A SIC HALF-BRIDGE MODUL
    499 293Кешбэк 74 893 балла
    GE17080CDA3Транзистор: 1700V 765A SIC HALF-BRIDGE MODUL
    998 587Кешбэк 149 788 баллов
    GE17045EEA3Транзистор: 1700V 425A SiC Six-Pack Module
    1 936 036Кешбэк 290 405 баллов
    GE12047BCA3Транзистор: 1200V 475A SiC Dual Module
    397 397Кешбэк 59 609 баллов
    GE17042BCA3Транзистор: 1700V 425A SIC DUAL MODULE
    499 293Кешбэк 74 893 балла
    NP30N04QUK-E1-AYТранзистор: POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS 8P HSO
    608Кешбэк 91 балл
    CAB006A12GM3Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE,ALN
    45 815Кешбэк 6 872 балла
    CAB425M12XM3Транзистор: 1.2KV, 425A SWITCHING LOSS OPTIM
    135 220Кешбэк 20 283 балла
    CAB016M12FM3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 1.2KV 78A MODULE
    18 680Кешбэк 2 802 балла
    CAB011M12FM3Транзистор: 1200V SIC H-BRIDGE MODULE
    22 893Кешбэк 3 433 балла
    CCB032M12FM3Транзистор: 1200V SIC 6-PACK MODULE
    23 468Кешбэк 3 520 баллов
    CAB008A12GM3Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE, ALN
    38 850Кешбэк 5 827 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП