Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMP6023LFGQ-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7
;
DMP6023LFGQ-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP6023LFGQ-7
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8Все характеристики

Минимальная цена DMP6023LFGQ-7 при покупке от 1 шт 178.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP6023LFGQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным проводимостью (P-канал), производимый компанией Diodes Incorporated. Этот тип MOSFET предназначен для применения в различных электронных устройствах, где требуется высокая скорость переключения и низкий уровень утечек тока.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) = 60 В
    • Максимальный ток (ID) = 7,7 А
    • Тип канала: P-канал
    • Кодовое обозначение: DMP6023LFGQ-7
    • Производитель: Diodes Incorporated

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения: MOSFETы с P-каналом обеспечивают быстрое включение и выключение, что важно для высокочастотных приложений.
  • Низкий уровень утечек тока: При отключенном состоянии транзистор имеет низкое значение утечечного тока, что снижает энергопотребление.
  • Высокая надежность: Компоненты MOSFET обеспечивают длительную службу без необходимости замены.

Минусы:

  • Низкая плотность тока при высоких напряжениях: В некоторых приложениях может потребоваться дополнительное охлаждение или использование более крупных компонентов.
  • Уязвимость к удару напряжением: MOSFETы могут быть повреждены при скачках напряжения.

Общее назначение: DMP6023LFGQ-7 используется в различных приложениях, требующих высокую скорость переключения и низкого уровня утечек тока. Это включает:

  • Бытовые приборы
  • Автомобильные системы
  • Питание и регулировка напряжения
  • Инверторы и преобразователи
  • Распределенные системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики DMP6023LFGQ-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    53.1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2569 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    DMP6023

Техническая документация

 DMP6023LFGQ-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 14472 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    178 ₽
  • 100
    86 ₽
  • 1000
    63 ₽
  • 4000
    52 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP6023LFGQ-7
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8Все характеристики

Минимальная цена DMP6023LFGQ-7 при покупке от 1 шт 178.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP6023LFGQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с положительным проводимостью (P-канал), производимый компанией Diodes Incorporated. Этот тип MOSFET предназначен для применения в различных электронных устройствах, где требуется высокая скорость переключения и низкий уровень утечек тока.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) = 60 В
    • Максимальный ток (ID) = 7,7 А
    • Тип канала: P-канал
    • Кодовое обозначение: DMP6023LFGQ-7
    • Производитель: Diodes Incorporated

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения: MOSFETы с P-каналом обеспечивают быстрое включение и выключение, что важно для высокочастотных приложений.
  • Низкий уровень утечек тока: При отключенном состоянии транзистор имеет низкое значение утечечного тока, что снижает энергопотребление.
  • Высокая надежность: Компоненты MOSFET обеспечивают длительную службу без необходимости замены.

Минусы:

  • Низкая плотность тока при высоких напряжениях: В некоторых приложениях может потребоваться дополнительное охлаждение или использование более крупных компонентов.
  • Уязвимость к удару напряжением: MOSFETы могут быть повреждены при скачках напряжения.

Общее назначение: DMP6023LFGQ-7 используется в различных приложениях, требующих высокую скорость переключения и низкого уровня утечек тока. Это включает:

  • Бытовые приборы
  • Автомобильные системы
  • Питание и регулировка напряжения
  • Инверторы и преобразователи
  • Распределенные системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики DMP6023LFGQ-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    53.1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2569 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    DMP6023

Техническая документация

 DMP6023LFGQ-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPA60R360P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
    382Кешбэк 57 баллов
    BSC014N04LSTATMA1MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC190N15NS3GATMA1MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC0702LSATMA1MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
    385Кешбэк 57 баллов
    IPD80R600P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
    387Кешбэк 58 баллов
    IPAN60R210PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220
    387Кешбэк 58 баллов
    IPA082N10NF2SXKSA1TRENCH >=100V PG-TO220-3
    387Кешбэк 58 баллов
    BSC109N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD70N12S311ATMA1MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
    389Кешбэк 58 баллов
    BSC070N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD85P04P4L06ATMA2MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
    391Кешбэк 58 баллов
    IPD90P03P404ATMA2MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
    393Кешбэк 58 баллов
    IPG20N04S4-08IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
    395Кешбэк 59 баллов
    IPD90R1K2C3ATMA2MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
    395Кешбэк 59 баллов
    ISC0802NLSATMA1MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
    395Кешбэк 59 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    396Кешбэк 59 баллов
    ISZ080N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
    398Кешбэк 59 баллов
    IPB123N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
    398Кешбэк 59 баллов
    ISC0702NLSATMA1MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
    400Кешбэк 60 баллов
    BSZ040N06LS5ATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    402Кешбэк 60 баллов
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    406Кешбэк 60 баллов
    IPD90N03S4L03ATMA1MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    406Кешбэк 60 баллов
    BSZ16DN25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    408Кешбэк 61 балл
    BSZ096N10LS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
    411Кешбэк 61 балл
    BSC016N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
    411Кешбэк 61 балл
    ISC0602NLSATMA1MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
    411Кешбэк 61 балл
    IPP60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    411Кешбэк 61 балл
    IPD380P06NMATMA1MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
    413Кешбэк 61 балл
    IPP50R190CEXKSA1MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
    415Кешбэк 62 балла
    ISC012N04NM6ATMA1TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
    419Кешбэк 62 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП