DMPH1006UPSQ-13

DMPH1006UPSQ-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8 — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) с каналом типа P. Он предназначен для работы на напряжении до 12В и может переносить ток до 80А.

• Основные параметры:
• Тип: MOSFET P-канальный
• Номинальное напряжение: 12В
• Максимальный ток: 80А
• Модель: DMPH1006UPSQ-13, PWRDI5060-8

• Плюсы:
• Высокая проводимость при низком напряжении на воротах
• Малые потери энергии
• Высокая скорость переключения
• Устойчивость к изоляционным зарядам
• Малый размер и легкость

• Минусы:
• Неустойчивость к обратному току без дополнительного оборудования (например, диод)
• Высокие требования к проектированию системы охлаждения
• Могут быть чувствительны к скачкам напряжения

Общее назначение: MOSFET используется для управления током в различных электронных устройствах. Они широко применяются в системах питания, преобразователях напряжения, инверторах, а также в различных приборах, требующих точного управления током.

• Применение:
• Автомобильная электроника
• Питание электронных устройств
• Преобразователи напряжения
• Инверторы
• Системы управления двигателем