Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
DMT10H017LPD-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13
;
DMT10H017LPD-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMT10H017LPD-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50Все характеристики

Минимальная цена DMT10H017LPD-13 при покупке от 1 шт 372.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT10H017LPD-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT10H017LPD-13

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • BVDSS: 61В-100В
      • Мощность: POWERDI50
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение блокировки (BVDSS) от 61 до 100 В
      • Высокая мощность (POWERDI50)
      • Устойчивость к перегреву
      • Низкое сопротивление в ON-состоянии
    • Минусы:
      • Необходимо учитывать пределы рабочей температуры
      • Требуется правильная термическая вентиляция для предотвращения перегрева
    • Общее назначение:
      • Регулирование напряжения в электронных устройствах
      • Защита от перенапряжений
      • Контроль тока в различных приборах
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильных системах
      • Промышленном оборудовании
      • Системах управления энергопотреблением
      • Инверторах и преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DMT10H017LPD-13

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    54.7A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28.6nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1986pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    2.2W (Ta), 78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8
  • Base Product Number
    DMT10
  • 965 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    372 ₽
  • 10
    261 ₽
  • 100
    181 ₽
  • 1000
    143 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMT10H017LPD-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50Все характеристики

Минимальная цена DMT10H017LPD-13 при покупке от 1 шт 372.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT10H017LPD-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT10H017LPD-13

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • BVDSS: 61В-100В
      • Мощность: POWERDI50
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение блокировки (BVDSS) от 61 до 100 В
      • Высокая мощность (POWERDI50)
      • Устойчивость к перегреву
      • Низкое сопротивление в ON-состоянии
    • Минусы:
      • Необходимо учитывать пределы рабочей температуры
      • Требуется правильная термическая вентиляция для предотвращения перегрева
    • Общее назначение:
      • Регулирование напряжения в электронных устройствах
      • Защита от перенапряжений
      • Контроль тока в различных приборах
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильных системах
      • Промышленном оборудовании
      • Системах управления энергопотреблением
      • Инверторах и преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DMT10H017LPD-13

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    54.7A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28.6nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1986pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    2.2W (Ta), 78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8
  • Base Product Number
    DMT10

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN62D0UDWQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
    89Кешбэк 13 баллов
    FQPF9N25CRDTUТранзистор: 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET
    115Кешбэк 17 баллов
    DMT3020LSDQ-13Транзистор: MOSFET 8V~24V SO-8
    100Кешбэк 15 баллов
    STL36DN6F7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT
    263Кешбэк 39 баллов
    2SK2530-TL-E250V, N-CHANNEL AP LINEUP
    135Кешбэк 20 баллов
    SI1539CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT363
    100Кешбэк 15 баллов
    MCQ4828A-TPТранзистор: N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP-
    167Кешбэк 25 баллов
    2SK2530-TL-E-ON250V, N-CHANNEL AP LINEUP
    135Кешбэк 20 баллов
    RF1K49223Транзистор: DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
    178Кешбэк 26 баллов
    2SJ653POWER MOSFET MOTOR DRIVERS
    650Кешбэк 97 баллов
    2SJ356(0)-T2-AZP-CHANNEL MOSFET
    256Кешбэк 38 баллов
    HUF75639S3ST_QТранзистор: TRANS MOSFET N-CH 100V 56A 3PIN(
    317Кешбэк 47 баллов
    SQJ504EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
    398Кешбэк 59 баллов
    SI1902DL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
    132Кешбэк 19 баллов
    2N7002PS/ZLXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 320MA SOT363
    146Кешбэк 21 балл
    SI3134KDW-TPТранзистор: DUAL N-CHANNEL MOSFETSOT-363
    89Кешбэк 13 баллов
    SI1902CDL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
    87Кешбэк 13 баллов
    SQJ952EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    311Кешбэк 46 баллов
    EM6K7T2CRТранзистор: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
    113Кешбэк 16 баллов
    FDS6900SТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    251Кешбэк 37 баллов
    CPH3422-TL-EN-CHANNEL MOSFET
    31.5Кешбэк 4 балла
    MCH6630-TL-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    18.5Кешбэк 2 балла
    HP8K22TBТранзистор: 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
    246Кешбэк 36 баллов
    FDC6308PТранзистор: P-CHANNEL MOSFET
    156Кешбэк 23 балла
    BSC072N04LDATMA1Транзистор: TRENCH <= 40V
    321Кешбэк 48 баллов
    PMDXB950UPELZТранзистор: 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF
    83Кешбэк 12 баллов
    CPH3307-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    SQJB90EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
    345Кешбэк 51 балл
    SSM6N67NU,LFТранзистор: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I
    113Кешбэк 16 баллов
    SQ1912AEEH-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
    137Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП