DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13 от Diodes Incorporated

• MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8

Основные параметры:

• Напряжение срабатывания (V_GS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET он составляет около 2-4 В
• Рейтингный ток (I_D(on)): 100 А
• Напряжение блокировки (V_DS): 30 В
• Тип: N-канальный MOSFET
• Марка: PWRDI5060-8

Плюсы:

• Высокая проводимость при низком напряжении срабатывания
• Высокий рейтингный ток
• Устойчивость к высоким напряжениям
• Малый ток утечки
• Низкое сопротивление при включенном состоянии

Минусы:

• Требуется правильная проектировка системы охлаждения из-за возможного нагрева при работе
• Могут возникать проблемы с переключением из-за резонансных эффектов
• Необходима корректная защита от перенапряжений и перегрузок

Общее назначение:

• Применяется в мощных электронных устройствах, требующих высокой проводимости и управления током
• Используется в системах питания, преобразователях мощности, инверторах
• Подходит для применения в автомобилестроении, промышленности, бытовой технике и других областях

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы питания и управления двигателем
• Промышленные преобразователи мощности
• Бытовые приборы с высокими потреблениями энергии
• Системы управления электродвигателями
• Электронные блоки питания различных устройств