Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
DMT6017LSS-13
Описание:
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена DMT6017LSS-13 при покупке от 1 шт 195.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT6017LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики DMT6017LSS-13

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
864 pF @ 30 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-SO
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
DMT6017

Техническая документация

DMT6017LSS-13.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

5930 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
195 ₽
10
122 ₽
500
62 ₽
2500
48 ₽
7500
42 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
DMT6017LSS-13
Описание:
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена DMT6017LSS-13 при покупке от 1 шт 195.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT6017LSS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики DMT6017LSS-13

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
864 pF @ 30 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-SO
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
DMT6017

Техническая документация

DMT6017LSS-13.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

CSD25485F5 MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR

129Кешбэк 19 баллов

DMP2045UFY4-7 MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015

81Кешбэк 12 баллов

NTMFS4C09NAT1G Транзистор: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN

291Кешбэк 43 балла

DMT6012LSS-13 MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO

100Кешбэк 15 баллов

SIR124DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK

233Кешбэк 34 балла

DMS3014SFGQ-13 MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8

185Кешбэк 27 баллов

DMTH41M8SPS-13 MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8

632Кешбэк 94 балла

IXTT110N10L2-TRL MOSFET N-CH 100V 110A TO268

3 989Кешбэк 598 баллов

NVMTS4D3N15MC SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00

1 245Кешбэк 186 баллов

SIHG050N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC

1 866Кешбэк 279 баллов

BSB013NE2LXIXUMA1 MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON

373Кешбэк 55 баллов

PJA3415AE-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET

78Кешбэк 11 баллов

CSD22205LT MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR

348Кешбэк 52 балла

IPD90P03P404ATMA1 MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

621Кешбэк 93 балла

G3404LL N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M

8.7Кешбэк 1 балл

SPW17N80C3FKSA1 Транзистор: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

1 009Кешбэк 151 балл

PJW3P10A_R2_00001 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

176Кешбэк 26 баллов

PMPB07R0UNAX SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

41Кешбэк 6 баллов

NVMFS5C442NAFT1G MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN

356Кешбэк 53 балла

2SK3230C-T1-A N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

61Кешбэк 9 баллов

SIA471DJ-T1-GE3 Транзистор: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK

121Кешбэк 18 баллов

SQD25N06-22L_GE3 MOSFET N-CH 60V 25A TO252

396Кешбэк 59 баллов

SQ7415CENW-T1_GE3 AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)

238Кешбэк 35 баллов

MGSF3455XT1 P-CHANNEL MOSFET

81Кешбэк 12 баллов

FCPF600N65S3R0L-F154 POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL

581Кешбэк 87 баллов

SCT4013DRC15 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

6 578Кешбэк 986 баллов

CWDM3011N TR13 PBFREE MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

206Кешбэк 30 баллов

FDP6676 N-CHANNEL POWER MOSFET

227Кешбэк 34 балла

FK4B01120L1 MOSFET N-CH 12V 3.9A ULGA004

61Кешбэк 9 баллов

UPA2717GR-E1-AT P-CHANNEL POWER MOSFET

360Кешбэк 54 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диодные мосты - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диоды выпрямительные - Модули

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Симисторы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - IGBT - модули

Полевые транзисторы - Одиночные

Модули драйверов питания

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды выпрямительные - Сборки

Полевые транзисторы - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Триодные тиристоры - Одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы - Сборки

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диодные мосты

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды - мостовые выпрямители

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - Специального назначения

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Драйверы питания - Модули

Принадлежности

Транзисторы - программируемые однопереходные

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Тиристоры - SCR

IGBT транзисторы

Диоды - ВЧ

Тиристоры - TRIACs

Высокочастотные биполярные транзисторы

Симисторы - Модули

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - JFET

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды силовые

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Программируемые однопереходные транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Высокочастотные диоды

Биполярные транзисторы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали