DMT67M8LPSW-13

DMT67M8LPSW-13 — это MOSFET (MOS-полевая транзисторная емкость) производства Diodes Incorporated. Этот тип MOSFET относится к классу N-канальных полевых транзисторов с напряжением блокировки 60В.

• Основные параметры:
• Напряжение блокировки (V_DS(ON)): 60В
• Ток пропускания при V_DS = 4V (I_D): 17.3А
• Максимальный ток пропускания (I_D(max)): 82А
• Скорость перехода (f_T): 1.5МГц

• Плюсы:
• Высокая проводимость в режиме ON
• Низкий коэффициент динамического сопротивления
• Высокая скорость перехода
• Устойчивость к шуму и импульсным нагрузкам
• Небольшие размеры и масса

• Минусы:
• Требуется правильное проектирование системы охлаждения из-за высокого тока пропускания
• Наличие дроссельной barriera между входом и выходом может вызывать скачки напряжения при быстрых переходах

Общее назначение: DMT67M8LPSW-13 используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и быстрое управление током. Это может включать в себя системы питания, преобразователи напряжения, инверторы и другие приборы, требующие высокой эффективности и скорости работы.

• Применение:
• Преобразователи напряжения
• Инверторы
• Системы управления током
• Быстрые выпрямители
• Системы управления мощностью