DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

• Тип: MOSFET (МOS-транзистор)
• Тип поля: N-канальный
• Номинальное напряжение: 100В
• Модель: PWRDI5060

Основные параметры:

• Размеры корпуса: TO-247
• Ток нагрузки: до 100A
• Частота работы: до 100kHz
• Коэффициент сопротивления R_DS(on): 15mΩ при 25°C

Плюсы:

• Высокая проводимость в режиме ON
• Низкое значение R_DS(on)
• Высокая скорость переключения
• Устойчивость к шумам и импульсным перенапряжениям
• Малый размер корпуса для больших мощностей

Минусы:

• Наличие теплового тормоза при высоких нагрузках
• Необходимость охлаждения при больших токах
• Существование паразитных конденсаторов

Общее назначение:

• Использование в схемах регулирования напряжения
• Применение в силовых преобразователях
• Встроенные в модули питания
• Использование в системах управления двигателей
• Работа в инверторах и преобразователях частоты

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы питания
• Системы питания серверных шкафов
• Промышленные преобразователи
• Электронные блоки управления двигателей
• Системы управления электрическими приборами