Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DN2535N3-G
  • В избранное
  • В сравнение
DN2535N3-G

DN2535N3-G

DN2535N3-G
;
DN2535N3-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MICROCHIP (SUPERTEX)
  • Артикул:
    DN2535N3-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92Все характеристики

Минимальная цена DN2535N3-G при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN2535N3-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN2535N3-G

DN2535N3-G MICROCHIP (SUPERTEX) Транзистор: MOSFET N-CH 350V 120mA TO92

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 350В
    • Номинальный ток смещения: 120мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO92
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий ток дrain-to-source при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Низкая максимальная мощность
    • Обратимый ток может быть ограничен
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение потерь энергии в электрических системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
    • Системы управления освещением
    • Компьютерное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DN2535N3-G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    350 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25Ohm @ 120mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    300 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92 (TO-226)
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    DN2535

Техническая документация

 DN2535N3-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 260 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 ₽
  • 3
    79 ₽
  • 10
    78 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MICROCHIP (SUPERTEX)
  • Артикул:
    DN2535N3-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92Все характеристики

Минимальная цена DN2535N3-G при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN2535N3-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN2535N3-G

DN2535N3-G MICROCHIP (SUPERTEX) Транзистор: MOSFET N-CH 350V 120mA TO92

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 350В
    • Номинальный ток смещения: 120мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO92
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий ток дrain-to-source при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Низкая максимальная мощность
    • Обратимый ток может быть ограничен
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение потерь энергии в электрических системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
    • Системы управления освещением
    • Компьютерное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DN2535N3-G

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    350 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25Ohm @ 120mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    300 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92 (TO-226)
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    DN2535

Техническая документация

 DN2535N3-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STP24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A TO220
    633Кешбэк 94 балла
    STU9N60M2MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
    346Кешбэк 51 балл
    STF19NF20MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP
    320Кешбэк 48 баллов
    STP10NK70ZMOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
    397Кешбэк 59 баллов
    STP5NK50ZFPMOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
    477Кешбэк 71 балл
    STP6NK90ZТранзистор: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
    702Кешбэк 105 баллов
    STP9NK70ZFPMOSFET N-CH 700V 7.5A TO220FP
    635Кешбэк 95 баллов
    STW56N60M2-4MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
    1 783Кешбэк 267 баллов
    STP105N3LLMOSFET N-CH 30V 80A TO220
    196Кешбэк 29 баллов
    STW40NF20MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
    957Кешбэк 143 балла
    STF9NK90ZMOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
    456Кешбэк 68 баллов
    STP9NK90ZMOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
    346Кешбэк 51 балл
    STW21N90K5MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
    1 525Кешбэк 228 баллов
    STP40NF10Транзистор: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
    344Кешбэк 51 балл
    STP12NK80ZMOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
    514Кешбэк 77 баллов
    STP11NM50NMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
    320Кешбэк 48 баллов
    STP55NF06FPТранзистор: MOSFET N-CH 60V 50A TO220FP
    350Кешбэк 52 балла
    STP4N150MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
    805Кешбэк 120 баллов
    STU4N62K3MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
    269Кешбэк 40 баллов
    STD5NK40Z-1MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
    351Кешбэк 52 балла
    STP18NM80MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
    1 239Кешбэк 185 баллов
    STP18N60M2Транзистор: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
    451Кешбэк 67 баллов
    STP5NK80ZMOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
    479Кешбэк 71 балл
    STF33N60M2MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
    717Кешбэк 107 баллов
    STP20NM60MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    635Кешбэк 95 баллов
    STI18N65M2MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
    400Кешбэк 60 баллов
    STP120N4F6MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
    330Кешбэк 49 баллов
    STW7NK90ZMOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
    516Кешбэк 77 баллов
    STF34NM60NMOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
    1 207Кешбэк 181 балл
    STP11N65M2MOSFET N-CH 650V 7A TO220
    406Кешбэк 60 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП