Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DN3535N8-G
  • В избранное
  • В сравнение
DN3535N8-G

DN3535N8-G

DN3535N8-G
;
DN3535N8-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN3535N8-G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AAВсе характеристики

Минимальная цена DN3535N8-G при покупке от 1 шт 269.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN3535N8-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN3535N8-G

DN3535N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 230mA TO243AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 350В
    • Номинальный ток (ID(on)): 230мА
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор MOSFET
    • Компактная оболочка TO243AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малые потери энергии при работе
    • Легкость управления
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует правильной термической защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах для управления током
    • Применяется в системах питания
    • Встроенные в источники питания
    • Для управления электродвигателями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Системы управления двигателей
    • Источники питания
    • Коммунальное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DN3535N8-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    350 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    230mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10Ohm @ 150mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    360 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-243AA (SOT-89)
  • Корпус
    TO-243AA
  • Base Product Number
    DN3535

Техническая документация

 DN3535N8-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 24 шт
    в наличии
  • 3721 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    269 ₽
  • 25
    141 ₽
  • 100
    139 ₽
  • 2000
    128 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN3535N8-G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AAВсе характеристики

Минимальная цена DN3535N8-G при покупке от 1 шт 269.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN3535N8-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN3535N8-G

DN3535N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 350V 230mA TO243AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 350В
    • Номинальный ток (ID(on)): 230мА
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор MOSFET
    • Компактная оболочка TO243AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малые потери энергии при работе
    • Легкость управления
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует правильной термической защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах для управления током
    • Применяется в системах питания
    • Встроенные в источники питания
    • Для управления электродвигателями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Системы управления двигателей
    • Источники питания
    • Коммунальное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DN3535N8-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    350 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    230mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10Ohm @ 150mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    360 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-243AA (SOT-89)
  • Корпус
    TO-243AA
  • Base Product Number
    DN3535

Техническая документация

 DN3535N8-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STW7N105K5MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
    669Кешбэк 100 баллов
    STP140N8F7MOSFET N-CH 80V 90A TO220
    569Кешбэк 85 баллов
    STFI15NM65NMOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP
    421Кешбэк 63 балла
    STP60NF06LMOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
    404Кешбэк 60 баллов
    STP9NK60ZMOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
    617Кешбэк 92 балла
    STR2N2VH5MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
    202Кешбэк 30 баллов
    STB9NK80ZMOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
    513Кешбэк 76 баллов
    STH140N8F7-2MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
    637Кешбэк 95 баллов
    STD4NK60Z-1MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
    188Кешбэк 28 баллов
    STW34NM60NMOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
    1 286Кешбэк 192 балла
    STF24NM60NMOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
    778Кешбэк 116 баллов
    STI24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
    550Кешбэк 82 балла
    STFI20NM65NMOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
    808Кешбэк 121 балл
    STP32N65M5MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
    1 210Кешбэк 181 балл
    STW28N60DM2MOSFET N-CH 600V 21A TO247
    891Кешбэк 133 балла
    STY112N65M5MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
    5 780Кешбэк 867 баллов
    STW15NK50ZТранзистор: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
    949Кешбэк 142 балла
    STB200N6F3MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    481Кешбэк 72 балла
    STW26NM60NMOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
    1 291Кешбэк 193 балла
    STI24NM60NMOSFET N CH 600V 17A I2PAK
    943Кешбэк 141 балл
    STFI13N95K3MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
    1 049Кешбэк 157 баллов
    STD3NK60Z-1MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
    253Кешбэк 37 баллов
    STW28NM60NDMOSFET N-CH 600V 23A TO247
    830Кешбэк 124 балла
    STP80NF70MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB
    506Кешбэк 75 баллов
    STF13NM60NMOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
    389Кешбэк 58 баллов
    STW42N60M2-EPMOSFET N-CH 600V 34A TO247
    1 096Кешбэк 164 балла
    STP6NK60ZFPMOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
    358Кешбэк 53 балла
    STH315N10F7-2MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
    1 091Кешбэк 163 балла
    STP80NF10MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
    476Кешбэк 71 балл
    STP2NK90ZMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
    421Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП