Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DN3765K4-G
  • В избранное
  • В сравнение
DN3765K4-G

DN3765K4-G

DN3765K4-G
;
DN3765K4-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN3765K4-G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3Все характеристики

Минимальная цена DN3765K4-G при покупке от 1 шт 609.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN3765K4-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN3765K4-G

DN3765K4-G Microchip Technology MOSFET N-CH 650V 300mA TO252-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 2.0 V
    • Максимальное напряжение стабилизации (VDS): 650 V
    • Размер тока (ID(on)): 300 mA
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума при работе
  • Минусы:
    • Максимальный ток может быть низким для некоторых приложений
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление током в различных электронных устройствах
    • Переключение нагрузок
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Питание устройств
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
    • Радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DN3765K4-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 150mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    825 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    DN3765

Техническая документация

 DN3765K4-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1412 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    609 ₽
  • 25
    513 ₽
  • 2000
    463 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN3765K4-G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3Все характеристики

Минимальная цена DN3765K4-G при покупке от 1 шт 609.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN3765K4-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN3765K4-G

DN3765K4-G Microchip Technology MOSFET N-CH 650V 300mA TO252-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 2.0 V
    • Максимальное напряжение стабилизации (VDS): 650 V
    • Размер тока (ID(on)): 300 mA
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума при работе
  • Минусы:
    • Максимальный ток может быть низким для некоторых приложений
    • Необходимо соблюдать правила проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление током в различных электронных устройствах
    • Переключение нагрузок
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Питание устройств
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
    • Радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DN3765K4-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 150mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    825 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    DN3765

Техническая документация

 DN3765K4-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DN2535N5-GТранзистор: MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
    313Кешбэк 46 баллов
    TP2640LG-GMOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    VN2222LL-G-P013Транзистор: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
    119Кешбэк 17 баллов
    TN0106N3-G-P003MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
    215Кешбэк 32 балла
    DN3765K4-GMOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
    609Кешбэк 91 балл
    TN2640LG-GMOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
    448Кешбэк 67 баллов
    VN2106N3-GMOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
    93Кешбэк 13 баллов
    VP0106N3-GMOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
    196Кешбэк 29 баллов
    TN0620N3-GMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
    302Кешбэк 45 баллов
    VP2206N3-GMOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
    476Кешбэк 71 балл
    VN2406L-GMOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
    343Кешбэк 51 балл
    VN0104N3-G-P013MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
    165Кешбэк 24 балла
    VN10KN3-G-P013MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
    133Кешбэк 19 баллов
    2N6660MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
    2 945Кешбэк 441 балл
    TN2524N8-GMOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
    285Кешбэк 42 балла
    LP0701N3-GТранзистор: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
    363Кешбэк 54 балла
    DN2530N3-GMOSFET N-CH 300V 175MA TO92
    146Кешбэк 21 балл
    TN2540N3-G-P002MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
    309Кешбэк 46 баллов
    TN0104N3-GMOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
    215Кешбэк 32 балла
    DN1509K1-GMOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5
    141Кешбэк 21 балл
    VN2224N3-GMOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
    767Кешбэк 115 баллов
    TN0110N3-G-P002Транзистор: MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
    252Кешбэк 37 баллов
    TP2502N8-GMOSFET P-CH 20V 630MA TO243AA
    315Кешбэк 47 баллов
    TN0604N3-G-P005MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
    282Кешбэк 42 балла
    VP2450N3-GMOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3
    378Кешбэк 56 баллов
    TN0104N3-G-P003MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
    237Кешбэк 35 баллов
    TP2635N3-GMOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
    370Кешбэк 55 баллов
    VN3205N3-GMOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
    309Кешбэк 46 баллов
    TP2540N3-GMOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
    330Кешбэк 49 баллов
    TP0620N3-GMOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП